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TN0110N3-G-P002，带引脚细节，包括卷轴包装，它们设计为以0.016000盎司的单位重量运行，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-92-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数的通道，该设备也可作为单一配置使用。此外，晶体管类型为1N沟道，该器件具有1W Pd功耗，其最高工作温度范围为+150 C，最低工作温度范围是-55 C，下降时间为3 ns，上升时间为3纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为350 mA，Vds漏源击穿电压为100V，Rds导通漏源电阻为4.5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为6ns，典型导通延迟时间为2ns，沟道模式为增强。
TN02 015 0046 1带用户指南，包括0.35～0.5mm2线规或范围mm2，它们设计用于20-22 AWG线规或量程AWG，类型如数据表注释所示，用于信号，冲压，提供C16等系列功能，包装设计用于磁带和卷轴（TR），以及插座触点类型，该装置也可以用作压接触点终端。此外，触点尺寸为1.5mm，该设备采用银触点饰面。
TN02 015 0046 2，带电路图，包括金色触点表面处理，设计为1.5mm触点尺寸，数据表注释中显示了用于压接的触点终端，提供了触点类型功能，如插座，包装设计为在磁带和卷轴（TR）以及C16系列中工作，该设备也可以用作信号，冲压型。此外，线规或范围AWG为20-22 AWG，该设备提供0.35～0.5mm2线规或量程mm2。
