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MAGX-000035-01000P带有引脚细节,包括MAGX系列,它们设计用于托盘封装,安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,其工作温度范围为-40 C至+95 C,技术设计用于GaN-SiC以及单一配置,该器件也可用作HEMT晶体管类型。此外,增益为14 dB,器件输出功率为10 W,器件的Pd功耗为12 W,最高工作温度范围为+95 C,最低工作温度范围是-40 C,工作频率为3.5 GHz,Id连续漏极电流为500 mA,Vds漏极源击穿电压为65 V,且晶体管极性为N沟道且正向跨导Min为0.2S。
MAGX-000035-01000TP带用户指南,其中包括65 V Vds漏极-源极击穿电压,它们设计用于HEMT晶体管类型,晶体管极性显示在数据表注释中,用于N沟道,提供GaN-SiC等技术功能,系列设计用于MAGX,以及12 W Pd功耗,该设备也可用作卷轴封装。此外,输出功率为10 W,工作温度范围为-40 C至+95 C,器件工作频率为3.5 GHz,安装方式为SMD/SMT,最低工作温度范围-40 C,最高工作温度范围+95 C。Id连续漏极电流为500 mA,增益为14 dB,并且正向跨导Min是0.2S并且配置是单一的。
MAGX-000035-015000,带电路图,包括0.35 S正向跨导最小值,它们设计为以15.5 dB增益工作,Id连续漏极电流如数据表注释所示,用于800 mA,其最大工作温度范围为+95 C,最小工作温度范围是-40 C,以及SMD/SMT安装方式,该器件也可以用作直流至3.5 GHz的工作频率,其工作温度范围为-40 C至+95 C,该器件的输出功率为17.7 W,该器件具有封装托盘,Pd功耗为10.3 W,该系列为MAGX,技术为GaN-SiC,晶体管类型为HEMT,栅极-源极阈值电压为-3 V。
MAGX-000035-010000是RF JFET晶体管。03-3.5GHz 10W CW引脚25 dBm GaN,包括托盘封装,它们被设计为使用N沟道晶体管极性操作,晶体管类型显示在数据表注释中,用于HEMT,提供GaN-SiC等技术功能,输出功率设计为在10W下工作。