9icnet为您提供由ITT Cannon，LLC设计和生产的T3P26FC1LT，在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。T3P26FC1LT参考价格为7.499102美元。ITT Cannon，LLC T3P26FC1LT封装/规格：接触插座26AWG CRIMP TIN。您可以下载T3P26FC1LT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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带有引脚细节的FC6B21150L1，包括FC6B系列，它们被设计为与Digi-ReelR替代封装封装一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如6-SMD、无引线，技术被设计为在Si中工作，以及N通道输出类型，该设备也可以用作2通道数的通道。此外，接口为开/关，该设备以6-SMD供应商设备包提供，该设备具有1899/12/30 1:01:00的比率输入：输出，配置为双重，输出数量为1，不需要电压源Vcc-Vdd，输出配置为低端，Rds-On-Typ为4mOhm，电压负载为12V（最大），电流输出最大值为8A，开关类型为通用型，晶体管类型为2 N沟道，Pd功耗为450 mW 2.1 W，最高工作温度范围为+150 C，最低工作温度范围是-55 C，下降时间为8.3 us，上升时间为5.2 us，Vgs栅极-源极电压为+/-10.5 V，Id连续漏极电流为8 A 17 A，Vds漏极-源极击穿电压为12V，Vgs第th栅极-源极阈值电压为350mW，Rds导通漏极-漏极电阻为10mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为12.9us，典型导通延迟时间为4.1us，Qg栅极电荷为26nC，沟道模式为增强。
FC6B222160L1，带用户指南，包括非必需电压电源Vcc-Vdd，它们设计为在20V（最大）电压负载下运行，数据表注释中显示了第Vgs栅极-源极阈值电压，用于350 mV，提供了Vgs栅极源极电压功能，如+/-8 V，Vds漏极-源极击穿电压设计为在20 V下工作，以及1.2 us典型导通延迟时间，该设备也可以用作8.1 us典型的关断延迟时间。此外，晶体管类型为2 N沟道，该器件以N沟道晶体管极性提供，该器件具有Si of Technology，开关类型为通用型，供应商器件封装为6-SMD，系列为FC6B，上升时间为2.4 us，类型上的Rds为4.7 mOhm，漏极-源极电阻上的Rds-为11.8 mOhms，比率输入：输出为1899/12/30 1:01:00，Qg栅极电荷为35nC，Pd功耗为450mW 2.1 W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为6-SMD，无引线，输出类型为N通道，输出配置为低端，输出数量为1，通道数量为2通道，安装类型为SMD/SMT，最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150 C，接口为开/关，Id连续漏极电流为8 A 17 A，下降时间为3.9 us，电流输出最大值为8A，配置为双重，通道模式为增强。
FC6946010R是MOSFET 2N-CH 60V 0.1A SSMINI6，包括双重配置，它们被设计为在100mA电流连续漏极Id 25°C下工作，漏极到源极电压Vdss显示在60V中使用的数据表注释中，它提供了FET功能，如逻辑电平门，FET类型被设计为工作在2 N沟道（双重）中，以及60 mS正向跨导最小值，该器件也可以用作100mA Id连续漏极电流。此外，输入电容Ciss-Vds为12pF@3V，其最高工作温度范围为+150 C，最低工作温度范围55 C，安装类型为表面安装，安装样式为SMD/SMT，通道数为2通道，工作温度范围150°C（TJ），封装外壳为SOT-563、SOT-666，封装为Digi-ReelR交替封装，Pd功率耗散为125mW，最大功率为125mW，漏极-源极电阻为6欧姆，漏极上Rds最大Id Vgs为12欧姆@10mA，4V，供应商设备封装为SSMini6-F3-B，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为2 N沟道，典型关断延迟时间为100nS，典型导通延迟时间为100 nS，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极电压为12V，Vgs th Max Id为1.5V@1μA。
FC6944.1AE，带有NA/制造的EDA/CAD模型。FC6944.1AE有BGA封装，是IC芯片的一部分。
