9icnet为您提供由TE Connectivity Deutsch Connectors设计和生产的DMC-M99-03AN，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。DMC-M99-03AN参考价格为50.16000美元。TE Connectivity Deutsch连接器DMC-M99-03AN封装/规格：DMC-M29-03AN。您可以下载DMC-M99-03AN英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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DMC1229UFDB-7，带有引脚细节，包括DMC1229系列，它们设计用于带卷（TR）替代包装包装，安装风格如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如6-UDFN暴露垫，技术设计用于硅，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备也可以用作表面安装安装类型。此外，通道数量为2通道，该设备以6-UDFN2020（2x2）供应商设备包提供，该设备具有1个N通道1个P通道的配置，FET类型为N和P通道，最大功率为1.4W，漏极-源极电压Vdss为12V，输入电容Ciss-Vds为914pF@6V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为5.6A、3.8A，Rds On Max Id Vgs在5A、4.5V时为29 mOhm，Vgs th Max Id在250μA时为1V，栅极电荷Qg Vgs在8V时为19.6nC，Pd功耗为1.4 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围55 C，下降时间为4.1 ns 26.4 ns，上升时间为10.5 ns 11.5 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-8 V，Id连续漏极电流为-3.8 A 5.6 A，Vds漏极-源极击穿电压为-12 V 12 V，第Vgs栅极源极阈值电压为-1 V 1 V，Rds漏极电阻为29 m欧姆61 m欧姆，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为16.6ns 27.8ns，典型导通延迟时间为5ns 5.7ns，Qg栅极电荷为10.5nC 10.7nC，正向跨导最小值为5.5S 6.5S，沟道模式为增强。
带有用户指南的DMC129UFDB-13，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们被设计为使用Si技术运行，数据表注释中显示了供应商设备包，用于U-DFN2020-6，该U-DFN2202-6提供了DMC129等系列功能，Rds on Max Id Vgs被设计为在29 mOhm@5A、4.5V以及1.4W最大功率下工作，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装。此外，封装外壳为6-UDFN暴露焊盘，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，输入电容Ciss-Vds为914pF@6V，栅极电荷Qg-Vgs为19.6nC@8V，FET类型为N和P沟道，FET特征为逻辑电平栅极，漏极到源极电压Vdss为12V，电流连续漏极Id 25°C为5.6A、3.8A。
DMC130UFDBQ-13，带电路图，包括卷筒包装。
DMC1030UFDBQ-7，带有EDA/CAD模型，包括卷轴包装。
