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MAGX-000035-01000P带有引脚细节，包括MAGX系列，它们设计用于托盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，其工作温度范围为-40 C至+95 C，技术设计用于GaN-SiC以及单一配置，该器件也可用作HEMT晶体管类型。此外，增益为14 dB，器件输出功率为10 W，器件的Pd功耗为12 W，最高工作温度范围为+95 C，最低工作温度范围是-40 C，工作频率为3.5 GHz，Id连续漏极电流为500 mA，Vds漏极源击穿电压为65 V，且晶体管极性为N沟道且正向跨导Min为0.2S。
MAGX-000035-01000TP带用户指南，其中包括65 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计用于HEMT晶体管类型，晶体管极性显示在数据表注释中，用于N沟道，提供GaN-SiC等技术功能，系列设计用于MAGX，以及12 W Pd功耗，该设备也可用作卷轴封装。此外，输出功率为10 W，工作温度范围为-40 C至+95 C，器件工作频率为3.5 GHz，安装方式为SMD/SMT，最低工作温度范围-40 C，最高工作温度范围+95 C。Id连续漏极电流为500 mA，增益为14 dB，并且正向跨导Min是0.2S并且配置是单一的。
MAGX-000035-015000，带电路图，包括0.35 S正向跨导最小值，它们设计为以15.5 dB增益工作，Id连续漏极电流如数据表注释所示，用于800 mA，其最大工作温度范围为+95 C，最小工作温度范围是-40 C，以及SMD/SMT安装方式，该器件也可以用作直流至3.5 GHz的工作频率，其工作温度范围为-40 C至+95 C，该器件的输出功率为17.7 W，该器件具有封装托盘，Pd功耗为10.3 W，该系列为MAGX，技术为GaN-SiC，晶体管类型为HEMT，栅极-源极阈值电压为-3 V。
MAGX-000035-010000是RF JFET晶体管。03-3.5GHz 10W CW引脚25 dBm GaN，包括托盘封装，它们被设计为使用N沟道晶体管极性操作，晶体管类型显示在数据表注释中，用于HEMT，提供GaN-SiC等技术功能，输出功率设计为在10W下工作。
