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4N35M是OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP，包括Tube Packaging，它们设计为以0.030159 oz的单位重量运行，数据表注释中显示了用于6-DIP（0.400“，10.16mm）的包装箱，提供输入型功能，如直流，工作温度范围为-55°C~110°C，以及通孔安装型，该设备也可以用作基极输出型晶体管。此外，通道数量为1，该设备以6-DIP供应商设备包提供，该设备有1个通道配置，电流输出通道为100mA，电压输出最大值为80V，电流直流正向If最大值为60mA，电压隔离为5000Vrms，电压正向Vf-Typ为1.2V，电流传输比最小值为100%@10mA，导通-关断时间Typ为10μs、9μs，上升-下降时间Typ分别为3μs、3μs，Vce饱和最大值为300mV，Pd功耗为250mW，最大工作温度范围为+100 C，最小工作温度范围55 C，Vf正向电压为1.5 V，隔离电压为7500 Vrms，Vr反向电压为6 V，If正向电流为60 mA，Part#Aliases为4N35M_NL，最大集电极-发射极电压为30 V，最大集极-发射极饱和电压为0.3 V。
4N35M-V是OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP，包括80V电压输出最大值，它们设计为在5000Vrms电压隔离下运行，数据表注释中显示了电压正向Vf Typ，用于1.2V，提供了300mV等Vce饱和最大值功能，通断时间Typ设计为在10μs、9μs以及6-DIP供应商设备包中工作，该装置也可以用作管状包装。此外，封装外壳为6-DIP（0.400“，10.16mm），器件采用基极输出型晶体管，工作温度范围为-55°C~110°C，通道数为1，安装类型为通孔，隔离电压为5000 Vrms，输入类型为直流，电流传输比最小值为100%@10mA，直流正向电流最大值为60mA。
4N35M_F132，带电路图，包括60mA电流直流正向。如果最大，它们设计为在最小10mA电流传输比下100%工作，输入类型如数据表注释所示，用于直流，提供安装类型功能，如通孔，通道数量设计为1个，工作温度范围为-40°C~100°C，该器件也可以用作具有基极输出类型的晶体管。此外，封装外壳为6-DIP（0.300“，7.62mm），该设备采用管式封装，该设备具有供应商设备封装的6-DIP，开启-关闭时间类型为2μs，2μs和Vce饱和最大值为300mV，电压正向Vf类型为1.18V，电压隔离为4170Vrms，电压输出最大值为30V。
