9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZD17C12P-E3-08，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZD17C12P-E3-08参考价格为0.57000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZD17C12P-E3-08封装/规格：DIODE ZENER 12V 800MW DO219AB。您可以下载BZD17C12P-E3-08英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BZD17C12P RQ是12伏0.8瓦5%的齐纳二极管，包括卷轴封装，它们设计用于BZD17C12P RQ零件别名，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供1.43 mm的高度特性，长度设计为2.9 mm，以及1.9 mm的宽度，该设备也可以用作Sub-SMA-2封装盒。此外，该配置为单一配置，该设备提供800 mW Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为12.05 V，电压容差为5%，电压温度系数为0.075%/C，Zz齐纳阻抗为7欧姆，Ir反向电流为3uA。
BZD17C12P是12伏0.8瓦5%的齐纳二极管，包括7欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计为在1.9毫米宽的情况下工作，数据表注释中显示了用于12.05 V的Vz齐纳电压，提供5%的电压容差特性，电压温度系数设计为在0.075%/C下工作，以及800 mW Pd功耗，该设备也可以用作R3部件别名。此外，包装为卷筒式，该设备采用Sub-SMA-2封装盒，该设备具有安装式SMD/SMT，其最低工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+175℃，长度为2.9 mm，Ir反向电流为3 uA，高度为1.43 mm，配置为单体。
BZD17C120P-E3-18带电路图，包括1μA@91V电流反向泄漏Vr，设计用于表面安装安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C，提供DO-219AB等封装盒功能。封装设计用于磁带和卷轴（TR）交替封装，以及最大800mW功率，该设备也可以用作DO-219AB（SMF）供应商设备包。此外，正向电压Vf Max If为1.2V@200mA，该器件提供120V电压齐纳标称Vz。
