特色
- <=180W非重复峰值反向功耗
- 低差动电阻
- AEC-Q101合格
TDZ7V5J,115
- 描述:标称齐纳电压 (Vz): 7.5 V 最大功率: 500 mW 公差: ±2% 供应商设备包装: SOD-323F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度
- 品牌: 安世半导体 (Nexperia)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 2164
- 单价: ¥2.75230
-
数量:
- +
- 总计: ¥2.75
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 安世半导体 (Nexperia)
- 公差 ±2%
- 最大正向压降 (Vf) @ 正向工作电流 (If) 1.1 V@100 mA
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度
- 标称齐纳电压 (Vz) 7.5 V
- 最大功率 500 mW
- 最大阻抗值 (Zzt) 10欧姆
- 包装/外壳 SC-90，SOD-323F
- 供应商设备包装 SOD-323F
- 反向漏电流 @ 直流反向电压 1.A@5伏
TDZ7V5J,115 产品详情
TDZxJ系列通用单齐纳二极管采用SOD323F（SC-90）小型扁平引线塑料表面安装器件（SMD）封装设计。适用于一般调节功能。
TDZ7V5J,115 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | TDZ30055BH50138BJ1 | 威世迪劳瑞 (Vishay Beyschlag) | 电容: 500 pF 公差: ±20% 额定电压: 10000V（10千伏） 温度系数: R85 | ¥1,940.08319 |
| TDZ50200WC50238BJ1 | 威世迪劳瑞 (Vishay Beyschlag) | 电容: 5000 pF 公差: ±20% 额定电压: 9000V (9千伏) 温度系数: R85 | ¥7,247.3906 |
 | TDZVTR15 | 罗姆 (Rohm) | 标称齐纳电压 (Vz): 15伏 最大功率: 500 mW 公差: ±10% 供应商设备包装: TUMD2M 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.47659 |
| TDZ7V5J,115 | 安世半导体 (Nexperia) | 标称齐纳电压 (Vz): 7.5 V 最大功率: 500 mW 公差: ±2% 供应商设备包装: SOD-323F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度 | ¥2.7523 |
 | TDZVTR13 | 罗姆 (Rohm) | 标称齐纳电压 (Vz): 13伏 最大功率: 500 mW 公差: ±10% 供应商设备包装: TUMD2M 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.54902 |
 | TDZVTR7.5 | 罗姆 (Rohm) | 标称齐纳电压 (Vz): 7.55 V 最大功率: 500 mW 公差: ±10% 供应商设备包装: TUMD2M 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.54902 |
 | TDZVTR6.8 | 罗姆 (Rohm) | 标称齐纳电压 (Vz): 6.8 V 最大功率: 500 mW 公差: ±8.82% 供应商设备包装: TUMD2M 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.47659 |
 | TDZTR15 | 罗姆 (Rohm) | 标称齐纳电压 (Vz): 15伏 最大功率: 500 mW 公差: ±10% 供应商设备包装: TUMD2 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度 | ¥3.47659 |
 | TDZTR12 | 罗姆 (Rohm) | 标称齐纳电压 (Vz): 12伏 最大功率: 500 mW 公差: ±10% 供应商设备包装: TUMD2 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度 | ¥3.54902 |
 | TDZVTR8.2 | 罗姆 (Rohm) | 标称齐纳电压 (Vz): 8.2 V 最大功率: 500 mW 公差: ±10% 供应商设备包装: TUMD2M 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.54902 |
TDZ7V5J,115所属分类：单齐纳二极管，TDZ7V5J,115 由 安世半导体 (Nexperia) 设计生产，可通过久芯网进行购买。TDZ7V5J,115价格参考￥2.752302，你可以下载 TDZ7V5J,115中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询TDZ7V5J,115规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安世半导体 (Nexperia)
Nexperia是大批量生产基本半导体的领先专家，这些半导体是世界上每一种电子设计所需的元件。该公司广泛的产品组合包括二极管、双极晶体管、ESD保护装置、MOSFET、GaN FET以及模拟和逻辑IC。...
