9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的KDZVTFTR9.1B，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。KDZVTFTR9.1B参考价格为0.43000美元。Rohm Semiconductor KDZVTTFTR9.1B封装/规格：二极管ZENER 9.1V 1W PMDU。您可以下载KDZVTTFTR9.1B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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KDZTR7.5B是DIODE ZENER 7.9V 1W PMDU，包括KDZ 7.5B系列，它们设计用于齐纳二极管产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.000363盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及0.8mm高度，该设备也可以用作2.6mm长度。此外，宽度为1.6 mm，该器件采用SOD-123F封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C，安装类型为表面安装，供应商器件封装为PMDU，配置为单一，公差为±6%，最大功率为1W，电压齐纳标称Vz为7.9V，电流反向泄漏Vr为20μA@4V，Pd功耗为1 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为7.889 V，电压容差为6%，电压温度系数为4.2 mV/℃，齐纳电流为40 mA，Ir反向电流为20 uA。
KDZTR9.1B是DIODE ZENER 9.8V 1W PMDU，包括40 mA齐纳电流，其设计工作宽度为1.6 mm，Vz齐纳电压如数据表注释所示，用于9.747 V，提供电压齐纳标称Vz特性，如9.8V，电压容差设计工作在6%，以及5.9 mV/℃电压温度系数，该装置也可以用作0.000363盎司单位重量。此外，公差为±6%，该器件采用PMDU供应商器件封装，该器件具有KDZ 9.1B系列，产品为齐纳二极管，最大功率为1W，Pd功耗为1W；封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为SOD-123F，工作温度范围为-55°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，长度为2.6 mm，Ir反向电流为20 uA，高度为0.8 mm，电流反向泄漏Vr为20μA@6V，配置为单一。
KDZTR6.8B是DIODE ZENER 7.3V 1W PMDU，包括单一配置，设计用于在20μa@3.5V电流反向泄漏Vr下工作，高度如数据表注释所示，用于0.8mm，提供Ir反向电流功能，如20 uA，长度设计用于2.6mm，最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装类型为表面安装，该器件采用SMD/SMT安装方式，其工作温度范围在-55℃~150℃之间，包装箱为SOD-123F，包装为Digi-ReelR交替包装，Pd功耗为1 W，最大功率为1W，系列为KDZ 6.8B，供应商设备包为PMDU，公差为±6%，单位重量为0.001058 oz，电压温度系数为3.2 mV/deg C，电压公差为6%，电压齐纳标称Vz为7.3V，Vz齐纳电压为7.28 V，宽度为1.6 mm。
KDZTR8.2B是DIODE ZENER 8.7V 1W PMDU，包括表面安装型，它们设计用于SOD-123F封装盒，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供配置功能，如单个，供应商设备封装设计用于PMDU，以及KDZ 8.2B系列，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，电压齐纳标称Vz为8.7V，器件提供8.655 V Vz齐纳电压，器件具有6%的电压容差，工作温度范围为-55°C~150°C，电压温度系数为5mV/deg C，电流反向泄漏Vr为20μa@5V，Ir反向电流为20μa，长度为2.6 mm，最大功率为1W，宽度为1.6mm，Pd功耗为1W，高度为0.8mm，单位重量为0.001058oz，公差为±6%，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C。
