9icnet为您提供由中央半导体公司设计和生产的1N753A TR PBFREE，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N753A TR PBFREE参考价格为0.49000美元。中央半导体公司1N753A TR PBFREE封装/规格：二极管ZENER 6.2V 500MW DO35。您可以下载1N753A TR PBFREE英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N753A TR带销细节，包括1N753系列，其设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.004586盎司，具有通孔、高度设计用于2.29 mm（最大值）和5.08 mm（最大）长度等安装样式特征，该设备也可用于2.29毫米（最大）宽度。此外，封装外壳为DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为-65°C~200°C，设备具有安装型通孔，供应商设备封装为DO-35，配置为单一，公差为±5%，功率最大值为500mW，电压齐纳标称Vz为6.2V，阻抗最大值Zzt为7欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@1V，正向电压Vf Max If为1.5V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+200 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为6.2 V，电压容差为5%，齐纳电流为60 mA，Zz齐纳阻抗为7欧姆，Ir反向电流为0.1 uA。
带用户指南的1N753A BK，包括6.2V电压齐纳标称Vz，设计用于在1.5V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表备注中显示了公差，公差为±5%，提供了供应商设备包功能，如DO-35，该系列设计用于1N75，以及500mW最大功率，该设备也可以用作散装替代包装。此外，封装外壳为DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为-65°C~200°C，装置具有安装型通孔，阻抗最大Zzt为7欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@1V。
1N753A是DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35，包括100nA@1V电流反向泄漏Vr，设计用于在7欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，其工作温度范围为-65°C~200°C，包装箱设计用于DO-204AH、DO-35、轴向以及散装包装，该设备也可作为500mW最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-35，该设备的容差为±5%，该设备具有1.5V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为6.2V。
1N753是齐纳二极管齐纳电压调节器二极管，包括通孔安装型，它们设计用于DO-35封装盒，单位重量如数据表注释所示，用于0.004833盎司，提供零件别名功能，如（DO-35）。
