9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的TZMB9V1-GS18，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。TZMB9V1-GS18参考价格为0.33000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division TZMB9V1-GS18封装/规格：DIODE ZENER 9.1V 500MW SOD80。您可以下载TZMB9V1-GS18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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TZMB9V1-GS08是DIODE ZENER 9.1V 500MW SOD80，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于胶带和卷轴（TR）交替包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.001827盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，高度设计为1.5 mm，长度3.5 mm，该装置也可以用作1.5mm宽。此外，包装箱为DO-213AC、MINI-MELF、SOD-80，其工作温度范围为-65°C~175°C，设备为表面安装型，供应商设备包装为SOD-80 MiniMELF，配置为单一，公差为±2%，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为9.1V，阻抗最大Zzt为10欧姆，电流反向泄漏Vr在6.8V时为100nA，电压正向Vf Max If在200mA时为1.5V，Pd功耗为500mW，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，Vz齐纳电压为9.1 V，电压容差为2%，电压温度系数为0.06%/K，齐纳电流为100 nA，Zz齐纳阻抗为10欧姆，Ir反向电流为100nA。
TZMB8V2-GS08是DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD80，包括7欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于100 nA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于1.5 mm，提供Vz齐纳电压特性，如8.2 V，电压齐纳标称Vz设计用于8.2V，以及2%电压容差，该器件也可以用作0.055%/K电压温度系数。此外，正向电压Vf Max If为1.5V@200mA，装置的单位重量为0.001827 oz，装置的公差为±2%，供应商装置包装为SOD-80 MiniMELF，系列为Automotive、AEC-Q101，最大功率为500mW，Pd功耗为500 mW，包装为胶带和卷筒（TR）交替包装，包装箱为DO-213AC、MINI-MELF，SOD-80，其工作温度范围为-65°C~175°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-65°C，最大工作温度范围+175 C，长度为3.5 mm，Ir反向电流为100 nA，最大阻抗Zzt为7 Ohm，高度为1.5 mm，电流反向泄漏Vr为100nA@6.2V，配置为Single。
TZMB8V2-GS18是DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD80，包括单一配置，它们设计为在100nA@6.2V电流反向泄漏Vr下工作，高度如数据表注释所示，用于1.5 mm，提供阻抗最大Zzt特性，如7欧姆，Ir反向电流设计为在100 nA下工作，长度为3.5 mm，它的最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围是-65℃，该设备为表面安装安装型，该设备具有安装型SMD/SMT，其工作温度范围在-65℃~175℃之间，包装箱为DO-213AC、MINI-MELF、SOD-80，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，Pd功耗为500mW，最大功率为500mW；系列为Automotive，AEC-Q101，供应商设备封装为SOD-80 MiniMELF，公差为±2%，单位重量为0.001827 oz，电压正向Vf Max If为1.5V@200mA，电压温度系数为0.055%/K，电压容限为2%，电压齐纳标称Vz为8.2V，Vz齐纳电压为8.2V，宽度为1.5mm，Zz齐纳阻抗为7欧姆。
