9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZM55C10-TR3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZM55C10-TR3参考价格为0.29000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZM55C10-TR3封装/规格：DIODE ZENER 10V 500MW MICROMELF。您可以下载BZM55C10-TR3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BZM55B9V1-TR是DIODE ZENER 500MW MICROMELF，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于胶带和卷轴（TR）交替包装包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.004762盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，高度设计为1.15 mm，长度为1.9 mm，该装置也可以用作1.15mm宽。此外，封装外壳为2-SMD，无引线，工作温度范围为-65°C~175°C，设备为安装型表面安装，供应商设备封装为MicroMELF，配置为单一，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为9.1V，阻抗最大Zzt为50 Ohm，电流反向泄漏Vr为100nA@6.8V，电压正向Vf Max If为1.5V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为9.1 V，电压容差为2%，电压温度系数为0.06%/C，Zz齐纳阻抗为10欧姆，Ir反向电流为100 nA。
BZM55B9V1-TR3是DIODE ZENER 500MW MICROMELF，包括10欧姆Zz齐纳阻抗，其设计工作宽度为1.15 mm，Vz齐纳电压如数据表注释所示，用于9.1 V，提供电压齐纳标称Vz特性，如9.1V，电压容差设计为2%，以及0.06%/C电压温度系数，该设备也可以用作1.5V@200mA正向电压Vf Max If。此外，单位重量为0.004762盎司，该设备采用MicroMELF供应商设备包，该设备具有汽车AEC-Q101系列，最大功率为500mW，Pd功耗为500mW。包装为胶带和卷筒（TR）交替包装，包装箱为2-SMD，无引线，其工作温度范围为-65°C~175°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-65°C，最大工作温度范围+175 C，长度为1.9 mm，Ir反向电流为100 nA，阻抗最大Zzt为50 Ohm，高度为1.15 mm，并且电流反向泄漏Vr为100nA@6.8V，并且配置为单一。
BZM55C10-TR是DIODE ZENER 10V 500MW MICROMELF，包括单一配置，设计用于100nA@7.5V电流反向泄漏Vr，高度如数据表注释所示，用于1.15 mm，提供阻抗最大Zzt特性，如15欧姆，Ir反向电流设计用于100 nA，以及1.9 mm长度，它的最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围是-65℃，该器件为表面安装安装型，该器件具有安装型SMD/SMT，工作温度范围175℃，封装外壳为2-SMD，无引线，封装为Digi-ReelR交替封装，Pd功耗为500 mW，最大功率为500mW，供应商设备封装为MicroMELF，单位重量为0.004762 oz，电压正向Vf Max If为1.2V@200mA，电压温度系数为0.065%/C，电压容差为6%，电压齐纳标称Vz为10V，Vz齐纳电压为10V、宽度为1.35 mm，Zz齐纳阻抗为15欧姆。
