9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZD27C33P-E3-08，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZD27C33P-E3-08参考价格$4.44000。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZD27C33P-E3-08封装/规格：DIODE ZENER 33V 800MW DO219AB。您可以下载BZD27C33P-E3-08英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BZD27C33PRQ是齐纳二极管33伏特0.8瓦特5%，包括卷轴封装，它们设计用于BZD27c33PRQ零件别名，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供1.43mm的高度特性，长度设计为2.9 mm，以及1.9 mm的宽度，该器件也可以用作Sub-SMA-2封装盒。此外，该配置为单一配置，该设备提供800 mW Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为33 V，电压容差为6%，电压温度系数为0.085%/C，Zz齐纳阻抗为15欧姆，Ir反向电流为1 uA。
BZD27C33P是齐纳二极管，33伏0.8瓦5%，包括15欧姆Zz齐纳阻抗，其设计工作宽度为1.9毫米，Vz齐纳电压如数据表注释所示，用于33伏，具有6%的电压容差特性，电压温度系数设计工作在0.085%/C，以及800毫瓦Pd功耗，该设备也可以用作R3部件别名。此外，包装为卷筒式，该设备采用Sub-SMA-2封装盒，该设备具有安装式SMD/SMT，其最低工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+175℃，长度为2.9 mm，Ir反向电流为1 uA，高度为1.43 mm，配置为单体。
BZD27-C33，带有NXP制造的电路图。BZD27-C33采用SOD-87封装，是二极管齐纳单体的一部分。
