9icnet为您提供由台湾半导体公司设计和生产的ZM4756A L0G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZM4756A L0G参考价格为0.08864美元。台湾半导体公司ZM4756A L0G封装/规格：DIODE ZENER 47V 1W MELF。您可以下载ZM4756A L0G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZM4763A-GS18是DIODE ZENER 91V 1W DO213AB，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于胶带和卷轴（TR）交替包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.004762盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，高度设计为2.6 mm，长度为5.2 mm，该装置也可以用作2.6mm宽。此外，包装箱为DO-213AB，MELF（玻璃），其工作温度范围为175°C，设备具有安装型表面安装，供应商设备包装为DO-213A B，配置为单一，公差为±5%，功率最大值为1W，电压齐纳标称Vz为91V，阻抗最大值Zzt为250欧姆，电流反向泄漏Vr为5μa@69.2V，Pd功耗为1 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为91 V，电压容差为5%，齐纳电流为10 mA，Zz齐纳阻抗为250欧姆，Ir反向电流为5 uA。
ZM4764A-GS18是DIODE ZENER 100V 1W DO213AB，包括350欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计用于9 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于2.6 mm，提供Vz齐纳电压功能，例如100 V，电压齐纳标称Vz设计用于100V，以及5%的电压容差，该设备也可以用作0.004762盎司单位重量。此外，公差为±5%，该设备采用DO-213AB供应商设备包，该设备具有自动AEC-Q101系列，最大功率为1W，Pd功耗为1W；包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为DO-213AA，MELF（玻璃），其工作温度范围为175°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+175℃，长度为5.2 mm，Ir反向电流为5 uA，阻抗最大Zzt为350 Ohm，高度为2.6 mm，电流反向泄漏Vr为5μA@76V，配置为单一。
ZM4764A-GS08是DIODE ZENER 100V 1W DO213AB，包括单一配置，设计用于在5μa@76V电流反向泄漏Vr下工作，高度如数据表注释所示，用于2.6 mm，提供阻抗最大Zzt特性，如350欧姆，Ir反向电流设计用于5μa，以及5.2 mm长度，它的最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围是-65℃，该器件为表面安装安装型，该器件具有安装型SMD/SMT，工作温度范围175℃，封装外壳为DO-213AB，MELF（玻璃），封装为Digi-ReelR交替封装，Pd功耗为1 W，最大功率为1W，系列为Automotive，AEC-Q101，供应商设备包为DO-213AB，公差为±5%，单位重量为0.004762盎司，电压公差为5%，电压齐纳标称Vz为100V，Vz齐纳电压为100V、宽度为2.6mm，齐纳电流为9mA，Zz齐纳阻抗为350欧姆。
ZM4764A-13是DIODE ZENER 100V 1W MELF，包括胶带和卷轴（TR）包装，它们设计用于表面安装安装型，数据表说明中显示了用于MELF的供应商设备包，提供DO-213AB、MELF等包装箱功能，其工作温度范围为-65°C~200°C，以及5μa@76V电流反向泄漏Vr，该器件也可以用作350欧姆阻抗最大Zzt。此外，功率最大值为1W，器件提供100V电压齐纳标称Vz，器件具有1.2V@200mA电压正向Vf Max If，容差为±5%。
