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GLL4737-E3/96是DIODE ZENER 7.5V 1W MELF DO213AB，包括胶带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于0.004762盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，具有2.67 mm等高度特征，长度设计为5.2 mm，宽度为2.67 mm，该设备也可以用作DO-213AB，MELF封装外壳，其工作温度范围为-65°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有供应商器件封装的MELF DO-213AB，配置为单一，公差为±10%，最大功率为1W，电压齐纳标称Vz为7.5V，阻抗最大Zzt为4欧姆，电流反向泄漏Vr为10μa@5V，Pd功耗为1 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为7.5 V，电压容差为10%，齐纳电流为605 mA，Zz齐纳阻抗为4欧姆，Ir反向电流为10 uA。
GLL4737A-E3/96是DIODE ZENER 7.5V 1W MELF DO213AB，包括4欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于605 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于2.67 mm，提供Vz齐纳电压特性，如7.5 V，电压齐纳标称Vz设计用于7.5 V，以及5%电压容差，该装置也可以用作0.004762盎司单位重量。此外，公差为±5%，该设备采用MELF DO-213AB供应商设备包提供，该设备的最大功率为1W，Pd功耗为1 W，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为DO-213AA，MELF，其工作温度范围为-65°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+150℃，长度为5.2 mm，Ir反向电流为10 uA，阻抗最大Zzt为4欧姆，高度为2.67 mm，电流反向泄漏Vr为10μA@5V，配置为单一。
GLL4737A-E3/97是DIODE ZENER 7.5V 1W MELF DO213AB，包括单一配置，它们设计为在10μa@5V电流反向泄漏Vr下工作，高度如数据表注释所示，用于2.67 mm，提供阻抗最大Zzt特性，如4 Ohm，Ir反向电流设计为在10uA下工作，长度为5.2 mm，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-65℃，该设备为表面安装安装型，该设备具有安装型SMD/SMT，其工作温度范围在-65℃~150℃，包装箱为DO-213AB，MELF，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，Pd功耗为1 W，功率最大值为1W，供应商设备包为MELF DO-213AB，公差为±5%，单位重量为0.004762 oz，电压公差为5%，电压齐纳标称Vz为7.5V，Vz齐纳电压为7.5 V，宽度为2.67 mm，齐纳电流为605 mA，Zz齐纳阻抗为4欧姆。
