9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的TFZGTR12B，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。TFZGTR12B的参考价格为0.44000美元。Rohm Semiconductor TFZGTR12B封装/规格：DIODE ZENER 12V 500MW TUMD2。您可以下载TFZGTR12B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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TFZGTR10B是DIODE ZENER 10V 500MW TUMD2，包括TFZ10B系列，它们设计为与齐纳二极管产品一起工作。数据表备注中显示了用于*替代包装的包装，该包装提供了SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计为2-SMD，扁平引线，其工作温度范围为-55°C~150°C，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为TUMD2，该设备为单配置，该设备最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为10V，阻抗最大Zzt为8欧姆，电流反向泄漏Vr为200nA@7V，Pd功耗为500 mW，其最大工作温度范围为+150℃，它的最小工作温度范围为-55℃，Vz齐纳电压为9.9 V，电压容差为3%，齐纳电流为20 mA，Zz齐纳阻抗为8欧姆，Ir反向电流为200 nA。
TFZGTR11B是DIODE ZENER 11V 500MW TUMD2，包括10欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计为在10 mA齐纳电流下工作，Vz齐纳电压如数据表注释所示，用于11 V，提供电压齐纳标称Vz特性，如11V，电压容差设计为工作在3%，以及TUMD2供应商设备包，该装置也可以用作TFZ11B系列。此外，最大功率为500mW，该器件提供500mW Pd功耗，该器件具有封装带和卷轴（TR），封装盒为2-SMD，扁平引线，其工作温度范围为-55°C~150°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最大工作温度范围是+150°C，Ir反向电流为200nA，阻抗最大Zzt为10 Ohm，电流反向泄漏Vr为200nA@8V，配置为Single。
TFZFHTR5.6B是DIODE ZENER 5.6V 500MW TUMD2，包括5μA@2.5V电流反向泄漏Vr，它们设计为在13欧姆阻抗最大Zzt下工作，Ir反向电流如数据表注释所示，用于5 uA，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，以及表面安装安装型，该器件也可以用作SMD/SMT安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C，该器件采用2-SMD扁平引线封装盒，该器件具有封装带和卷轴（TR），Pd功耗为500mW，最大功率为500mW；产品为齐纳二极管，系列为TFZ5.6B，供应商器件封装为TUMD2，电压齐纳标称Vz为5.6V，Vz齐纳电压为5.73V，Zz齐纳阻抗为13欧姆。
