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DZ2J130M0L是DIODE ZENER 13V 200MW SMINI2，包括Digi-ReelR替代包装包装，设计用于SMD/SMT安装类型，高度如数据表注释所示，用于0.7mm，提供1.25mm等宽度特性，包装箱设计用于SC-90、SOD-323F以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SMini2-F5-B供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为200mW，电压齐纳标称Vz为13V，阻抗最大值Zzt为35欧姆，电流反向泄漏Vr为50nA@10V，正向电压Vf最大值If为1V@10mA，Pd功耗为200mW。其最大工作温度范围为+150℃，Vf正向电压在10mA时为1V，Vz齐纳电压为13V，电压容差为2.5%，电压温度系数为10.9mV/C，Zz齐纳阻抗为35欧姆，Ir反向电流为50nA。
DZ2J120M0L是DIODE ZENER 12V 200MW SMINI2，包括30欧姆Zz齐纳阻抗，其设计工作宽度为1.25 mm，数据表中显示了用于12 V的Vz齐纳电压，提供电压齐纳标称Vz特性，如12V，电压容差设计工作在2.5%，以及9.3 mV/C电压温度系数，该器件也可以用作1V@10mA电压正向Vf Max If。此外，10mA时的Vf正向电压为1 V，该器件的容差为±5%，该器件具有供应商器件封装的SMini2-F5-B，最大功率为200mW，Pd功耗为200mW。封装为Digi-ReelR替代封装，封装外壳为SC-90、SOD-323F，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最大工作温度范围为+150℃，Ir反向电流为50 nA，阻抗最大Zzt为30 Ohm，高度为0.7 mm，电流反向泄漏Vr为50nA@9V，配置为单一。
DZ2J13000L是DIODE ZENER 13V 200MW SMINI2，包括单一配置，它们设计为在50nA@110V电流反向泄漏Vr下工作，高度如数据表注释所示，用于0.7mm，提供阻抗最大Zzt特性，如35欧姆，Ir反向电流设计为在50 nA下工作，其最大工作温度范围为+150℃，该装置也可以用作表面安装型。此外，安装类型为SMD/SMT，该器件采用SC-90、SOD-323F封装盒，该器件具有封装带和卷轴（TR），Pd功耗为200mW，最大功率为200mW；供应商器件封装为SMini2-F5-B，公差为±5%，10mA时的Vf正向电压为1 V，10mA下的电压正向Vf Max If为1V，电压温度系数为10.9mV/C，电压容差为5%，电压齐纳标称Vz为13V，Vz齐纳电压为13V、宽度为1.25mm，Zz齐纳阻抗为35欧姆。
