9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZD17C13P-E3-08,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。BZD17C13P-E3-08参考价格为0.14751美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZD17C13P-E3-08封装/规格:DIODE ZENER 13V 800MW DO219AB。您可以下载BZD17C13P-E3-08英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BZD17C13PRQ是齐纳二极管13伏特0.8瓦特5%,包括卷轴封装,它们设计用于BZD17C33PRQ零件别名,安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,提供1.43mm的高度特性,长度设计为2.9 mm,以及1.9 mm的宽度,该器件也可以用作Sub-SMA-2封装盒。此外,该配置为单一配置,该设备提供800 mW Pd功耗,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-65 C,Vz齐纳电压为13.25 V,电压容差为6%,电压温度系数为0.075%/C,Zz齐纳阻抗为10欧姆,Ir反向电流为2uA。
BZD17C13P是齐纳二极管,13伏特0.8瓦特5%,包括10欧姆Zz齐纳阻抗,设计用于1.9毫米宽,数据表中显示了13.25 V的Vz齐纳电压,提供6%的电压容差特性,电压温度系数设计用于0.075%/C,以及800 mW Pd功耗,该设备也可以用作R3部件别名。此外,包装为卷筒式,该设备采用Sub-SMA-2封装盒,该设备具有安装式SMD/SMT,其最低工作温度范围为-65℃,最大工作温度范围+175℃,长度为2.9 mm,Ir反向电流为2 uA,高度为1.43 mm,配置为单体。
BZD17C130P-E3-18带电路图,包括1μA@100V电流反向泄漏Vr,设计用于表面安装安装型,其工作温度范围为-55°C~150°C,提供DO-219AB等封装盒功能。封装设计用于磁带和卷轴(TR)交替封装,以及最大800mW功率,该设备也可以用作DO-219AB(SMF)供应商设备包。此外,正向电压Vf Max If为1.2V@200mA,该器件提供130V电压齐纳标称Vz。