9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的ZGL41-160A-E3/97，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZGL41-160A-E3/97参考价格为0.20196美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division ZGL41-160A-E3/97包装/规格：DIODE ZENER 160V 1W GL41。您可以下载ZGL41-160A-E3/97英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZGL41-160A-E3/96是DIODE ZENER 160V 1W DO213AB，包括胶带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于0.004762盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供2.67 mm等高度特征，长度设计为5.2 mm，宽度为2.67 mm，该设备也可以用作DO-213AB，MELF封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有供应商器件封装的DO-213AB，配置为单一，公差为±5%，最大功率为1W，电压齐纳标称Vz为160V，阻抗最大Zzt为700欧姆，电流反向泄漏Vr为1μa@121.6V，电压正向Vf Max If为1.5V@200mA，Pd功耗为1 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为160 V，电压容差为5%，Zz齐纳阻抗为700欧姆，Ir反向电流为1 uA。
ZGL41-150-E3/96是DIODE ZENER 150V 1W DO213AB，包括150V电压齐纳标称Vz，它们设计为在200mA电压正向Vf最大值下工作1.5V，公差显示在数据表注释中，使用±10%，提供供应商设备包功能，如DO-213AB，功率最大值设计为1W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可作为DO-213AB、MELF封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有600欧姆的阻抗最大Zzt，电流反向泄漏Vr为1μa@114V。
ZGL41-150-E3/97是DIODE ZENER 150V 1W DO213AB，包括1μA@114V电流反向泄漏Vr，它们设计用于600欧姆阻抗最大Zzt的工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，其工作温度范围为-55°C~150°C，包装箱设计用于DO-213AB、MELF以及磁带和卷轴（TR）包装，该设备也可作为1W最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-213AB，该设备提供±10%的容差，该设备具有1.5V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为150V。
