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1N959BE3，带销细节，包括散装包装，设计用于DO-204AH、DO-35轴向包装箱，其工作温度范围为-65°C~175°C，具有通孔等安装类型特征，供应商设备包设计用于DO-35（DO-204AL），以及±5%公差，设备也可用于500mW最大功率。此外，电压齐纳标称Vz为8.2V，器件提供6.5欧姆阻抗最大Zzt，器件具有50μa@6.2V电流反向泄漏Vr，电压正向Vf Max If为1.1V@200mA。
1N959B_T50R，带有用户指南，包括8.2V电压齐纳标称Vz，其设计工作公差为±5%。数据表注释中显示了DO-35中使用的供应商设备包，其提供功率最大功能，如500mW，包装设计用于磁带和卷轴（TR），以及DO-204AH、DO-35、轴向包装箱，其工作温度范围为-65°C~200°C。此外，安装类型为通孔，该设备提供6.5欧姆阻抗最大Zzt，该设备具有50μa@6.2V电流反向泄漏Vr。
1N959BTR是DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35，包括50μA@6.2V电流反向泄漏Vr，设计用于6.5欧姆阻抗最大Zzt的工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，其工作温度范围为-65°C~200°C，包装箱设计用于DO-204AH、DO-35、轴向以及磁带和卷轴（TR）包装，该设备也可作为500mW最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-35，该设备的容差为±5%，该设备具有8.2V的电压齐纳标称Vz。
1N959B_T50A，带EDA/CAD型号，包括通孔安装型，设计用于带盒（TB）封装，供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-35，提供DO-204AH、DO-35、轴向、电压齐纳标称Vz等封装外壳功能。设计用于8.2V，工作温度范围为-65°C~200°C，该器件也可以用作6.5欧姆阻抗最大Zzt。此外，电流反向泄漏Vr为50μA@6.2V，该设备的最大功率为500mW，该设备具有±5%的容差。
