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MJD200G
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MJD200G

  • 描述:晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 5 A 集电极击穿电压: 25伏 最大功率: 1.4瓦 特征频率: 65MHz 供应商设备包装: DPAK
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 1180
  • 单价: ¥5.07003
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥5.07
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 晶体管类别 NPN
  • 安装类别 表面安装
  • 集电极最大截止电流 100nA（ICBO）
  • 最大集电极电流 (Ic) 5 A
  • 集电极击穿电压 25伏
  • 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 1.8V@1A，5A
  • 最小直流增益 45 @ 2A, 1V
  • 最大功率 1.4瓦
  • 特征频率 65MHz
  • 工作温度 -65摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
  • 供应商设备包装 DPAK

MJD200G 产品详情

NPN功率晶体管，ON半导体标准

带有NSV前缀的制造商零件号符合AEC-Q101标准。

特色

  • 集电极-发射极维持电压-VCEO（sus）=25 Vdc（最小值）@IC=10 mAdc
  • 高直流电流增益-hFE=70（最小）@IC=500 mAdc=45（最小）@IC=2 Adc=10（最小）@1C=5 Adc
  • 塑料套管表面安装用铅（无后缀）
  • 塑料套管中的直导线版本（后缀“-1”）
  • 16 mm胶带和卷筒中的铅成型版本（“T4”后缀）
  • 低集电极-发射极饱和电压-VCE（sat）=0.3 Vdc（最大值）@I C=500 mAdc=0.75 Vdc（最大）@IC=2.0 Adc
  • 高电流增益-带宽乘积-fT=65 MHz（最小）@IC=100 mAdc
  • 低泄漏环形结构——ICBO=100 nAc@额定VCB
  • NJV前缀，适用于需要独特现场和控制变更要求的汽车和其他应用；AEC-Q101合格和PPAP能力
  • 这些设备不含铅，符合RoHS标准


（图片：引出线）

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器件图
型号
制造商
描述
价格
MJD200GMJD200G安盛美 (onsemi)晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 5 A 集电极击穿电压: 25伏 最大功率: 1.4瓦 特征频率: 65MHz 供应商设备包装: DPAK¥5.07003
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MJD210GMJD210G安盛美 (onsemi)晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 5 A 集电极击穿电压: 25伏 最大功率: 1.4瓦 特征频率: 65MHz 供应商设备包装: DPAK¥4.56303
MJD50GMJD50G安盛美 (onsemi)晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 1A 集电极击穿电压: 400伏 最大功率: 1.56瓦 特征频率: 10MHz 供应商设备包装: DPAK¥6.30132
MJD243GMJD243G安盛美 (onsemi)晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 4A 集电极击穿电压: 100伏 最大功率: 1.4瓦 特征频率: 40MHz 供应商设备包装: DPAK¥7.09804
MJD112MJD112江苏长电/长晶 (CJ)暂无¥1.28541
MJD122MJD122江苏长电/长晶 (CJ)暂无¥1.28425
MJD122 TO-252-2MJD122 TO-252-2江苏长电/长晶 (CJ)¥0.81338
MJD112 TO-252-2MJD112 TO-252-2江苏长电/长晶 (CJ)¥0.81555
MJD31C TO-252-2MJD31C TO-252-2江苏长电/长晶 (CJ)¥0.89884
MJD200G所属分类：分立双极结型晶体管，MJD200G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。MJD200G价格参考￥5.070030，你可以下载 MJD200G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询MJD200G规格参数、现货库存、封装信息等信息！

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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