特色
- 简化电路设计
- 减少板空间
- 减少组件数量
- 汽车和其他应用的S和NSV前缀需要独特的现场和控制变更要求；AEC-Q101合格和PPAP能力
- 这些设备不含铅、不含卤素、不含BFR，符合RoHS标准
NSVMUN5216T1G
- 描述:MUN5216 - NSVMUN5216 - NPN BIPOL
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 8241
- 库存: 102000
- 单价: ¥0.26364
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,172.67
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 过时的
- 晶体管类别 -
- 最大集电极电流 (Ic) -
- 集电极击穿电压 -
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) -
- 集电极最大截止电流 -
- 最小直流增益 -
- 最大功率 -
- 特征频率 -
- 工作温度 -
- 安装类别 -
- 包装/外壳 -
- 供应商设备包装 -
NSVMUN5216T1G 产品详情
这一系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个具有由两个电阻器组成的单片偏置网络的单个晶体管；串联基极电阻器和基极发射极电阻器。BRT通过将这些单独的组件集成到单个设备中，从而消除了这些组件。使用快速公交系统可以降低系统成本和董事会空间。
NSVMUN5216T1G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| NSVED07I3266BL | 泛达 (Panduit) | VERTICAL EXHAUST DUCT (VED) FOR | ¥1,321.8979 |
 | NSVMMBD354LT1G | 安盛美 (onsemi) | 二极管种类: 肖特基-1对公共阴极 最大反向峰值电压: 7V 最大功耗: 300毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.41817 |
 | NSVP249SDSF3T1G | 安盛美 (onsemi) | 二极管种类: PIN-1对串联 最大反向峰值电压: 50V 最大功耗: 100 mW 最大电流: 50 mA 供应商设备包装: SC-70/MCP3 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度（TJ） | ¥3.33173 |
| NSVMMUN2132LT1G-M01 | 安盛美 (onsemi) | MMUN2132L - NSVMMUN2132 - DIGITA | ¥0.22294 |
| NSVMUN2132T1G | 安盛美 (onsemi) | MUN2132 - NSVMUN2132 - PNP BIPOL | ¥0.26364 |
| NSVMUN5216T1G | 安盛美 (onsemi) | MUN5216 - NSVMUN5216 - NPN BIPOL | ¥0.26364 |
| NSVMUN5116T1G-M02 | 安盛美 (onsemi) | NSVMUN5116 - DIGITAL BJT PNP - P | ¥0.26364 |
 | NSVR0170P2T5G | 安盛美 (onsemi) | 二极管种类: 肖特基 最大直流反向电压 (Vr): 70 V 整流平均值 (Io): 70毫安 (DC) 供应商设备包装: SOD-923 工作结温: -55摄氏度~150摄氏度 | ¥1.0001 |
 | NSVR0230P2T5G | 安盛美 (onsemi) | 二极管种类: 肖特基 最大直流反向电压 (Vr): 30伏 整流平均值 (Io): 200毫安（直流） 供应商设备包装: SOD-923 工作结温: -55摄氏度~125摄氏度 | ¥1.0001 |
| NSVG1001MXTAG | RF SPDT SWITCH MMIC | ¥0.00 |
NSVMUN5216T1G所属分类：分立双极结型晶体管，NSVMUN5216T1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NSVMUN5216T1G价格参考￥0.263642，你可以下载 NSVMUN5216T1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NSVMUN5216T1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
