这种新的第四代超低饱和晶体管利用Zetexmatrix结构结合先进的组装技术，提供极低的导通状态损耗。这使其成为高效、低压开关应用的理想选择。
特色
•低等效导通电阻
•极低饱和电压
•高达6A的hFE特征
•IC=2.5A持续集电极电流
•SOT23-6包
ZXT10P20DE6TA
- 描述:TRANS PNP 20V 2.5A SOT23-6
- 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
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- 库存: 0
- 单价: ¥1.66985
-
数量:
- +
- 总计: ¥5,009.55
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 晶体管类别 -
- 最大集电极电流 (Ic) -
- 集电极击穿电压 -
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) -
- 集电极最大截止电流 -
- 最小直流增益 -
- 最大功率 -
- 特征频率 -
- 工作温度 -
- 安装类别 -
- 包装/外壳 -
- 供应商设备包装 -
- 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
ZXT10P20DE6TA 产品详情
ZXT10P20DE6TA 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | ZXTD4591E6TA | 达尔科技 (Diodes rporated) | 晶体管类别: NPN，PNP 集电极击穿电压: 60V 最大集电极电流 (Ic): 1A 最大功率: 1.1瓦 供应商设备包装: SOT-23-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.55143 |
 | ZXTD717MCTA | 达尔科技 (Diodes rporated) | TRANS 2PNP 12V 4A 8DFN | ¥5.93918 |
 | ZXTN5551ZTA | 达尔科技 (Diodes rporated) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 600 mA 集电极击穿电压: 160伏 最大功率: 1.2瓦 特征频率: 130MHz 供应商设备包装: SOT-89-3 | ¥1.10556 |
 | ZXTP4003GTA | 达尔科技 (Diodes rporated) | 晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 1A 集电极击穿电压: 100伏 最大功率: 2 W 供应商设备包装: SOT-89-3 | ¥2.06372 |
| ZXT10P20DE6TA | 达尔科技 (Diodes rporated) | TRANS PNP 20V 2.5A SOT23-6 | ¥1.66985 |
 | ZXTN25015DFHTA | 达尔科技 (Diodes rporated) | TRANS NPN 15V 5A SOT23-3 | ¥1.66985 |
 | ZXTR2005K-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 输出类别: 固定的 输出配置: 阳性的 稳压器数量: one 供应商设备包装: TO-252-3 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥1.73612 |
 | ZXTR2012K-13 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 输出类别: 固定的 输出配置: 阳性的 稳压器数量: one 供应商设备包装: TO-252-3 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥4.85274 |
 | ZXTR2112F-7-52 | Transistor Array SOT23 T&R 3K | ¥0.00 | |
| ZXTR2105F-7-52 | Transistor Array SOT23 T&R 3K | ¥0.00 |
ZXT10P20DE6TA所属分类：分立双极结型晶体管，ZXT10P20DE6TA 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。ZXT10P20DE6TA价格参考￥1.669851，你可以下载 ZXT10P20DE6TA中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询ZXT10P20DE6TA规格参数、现货库存、封装信息等信息！
达尔科技 (Diodes rporated)
Diodes Incorporated为消费电子、计算、通信、工业和汽车市场的世界领先公司提供高质量的半导体产品。他们利用离散、模拟和混合信号产品的扩展产品组合以及领先的封装技术来满足客户的需求。他们广...
