RFUS10TF4S

9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的RFUS10TF4S，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RFUS10TF4S参考价格为1.09000美元。Rohm Semiconductor RFUS10TF4S封装/规格：DIODE GEN PURP 430V 10A TO220NFM。您可以下载RFUS10TF4S英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。

9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如RFUS10TF4S价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。

RFUH20TF6S是DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM，包括散装包装，设计用于to-220-2封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备封装功能，如to-220NFM，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件还可以用作10μA@600V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为2.8V@20A，该设备提供600V直流反向电压Vr Max，该设备具有20A电流平均整流Io，反向恢复时间trr为35ns，其工作温度结范围为150°C（最大值）。

RFUH30TS6SGC11带用户指南，包括2.8V@30A电压正向Vf Max。如果设计为在600V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-247的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为35ns，该器件也可作为TO-247-3封装盒使用，其工作温度结范围为150°C（最大值），该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@600V，电流平均整流Io为15A。

RFUH30TS6DGC11，带电路图，包括卷筒包装。