9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDH400，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FDH400价格参考$0.04000。onsemi FDH400包装/规格：DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35。您可以下载FDH400英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDH3632是MOSFET N-CH 100V 80A TO-247，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于FDH3632_NL，提供单位重量功能，如0.225401盎司，安装样式设计用于通孔，以及TO-247-3封装盒，该设备也可以用作Si技术，它的工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为通孔安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为TO-247，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为310W，晶体管类型为1个N通道，漏极到源极电压Vdss为100V，输入电容Ciss Vds为6000pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为12A（Ta），80A（Tc），Rds On最大Id Vgs为9 mOhm@80A，10V，Vgs th最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为110nC@10V，Pd功耗为310 W，其最大工作温度范围为+175 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为46纳秒，上升时间为39纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为80 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Rds漏极源极电阻为7.5毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为96纳秒，典型开启延迟时间为30ns，信道模式为增强。
FD-H35-M2带有用户指南，包括FX-500系列，它们设计用于反射式传感方法，传感距离如数据表注释所示，用于10.236英寸（260mm），提供连接方法功能，如电缆，电缆长度设计为78.740英寸（2000.00mm）。
带有电路图的FD-H35-M2S6，包括78.740“（2000.00mm）电缆长度，设计用于电缆连接方式。数据表注释中显示了10.236”（260mm）的传感距离，提供反射等传感方式功能，系列设计用于FX-500。
