9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的10ETS12，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。10ETS12参考价格为0.232美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 10ETS12封装/规格：DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC。您可以下载10ETS12英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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10ETS08STRL是DIODE GEN PURP 800V 10A D2PAK，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于to-263-3、D2PAK（2引线+接线片）、to-263AB封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如to-263AA（D2PAK），速度设计用于标准恢复>500ns，>200mA（Io），与标准二极管类型一样，该器件也可以用作50μA@800V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.1V@10A，该设备提供800V电压DC反向电压Vr Max，该设备具有10A电流平均整流Io，其工作温度结范围为-40°C~150°C。
10ETS08STRR是DIODE GEN PURP 800V 10A D2PAK，包括1.1V@10A正向电压Vf Max。如果设计为在800V电压DC反向电压Vr Max下运行，数据表说明中显示了用于to-263AB（D2PAK）的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），以及TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，其工作温度结范围为-40°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为标准二极管类型，该器件具有50μa@800V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为10A。
10ETS10S，带有IR制造的电路图。10ETS10采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
