9icnet为您提供由onsemi设计和生产的SURS8115T3G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。SURS8115T3G参考价格$3.358。onsemi SURS8115T3G包装/规格：DIODE GEN PURP 150V 1A SMB。您可以下载SURS8115T3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SURS8110T3G是DIODE GEN PURP 100V 1A SMB，包括MURS110系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR），其工作温度范围为-65 C至+175 C，包装箱设计用于DO-214AA、SMB以及表面安装型，该设备也可以用作SMB供应商设备包。此外，速度快恢复=200mA（Io），该器件为标准二极管类型，该器件具有2μa@100V电流反向泄漏Vr，电压正向Vf Max If为875mV@1A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为35ns，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C，它的最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为875 mV，Vr反向电压为100 V，Ir反向电流为2 uA，如果正向电流为1 A，最大浪涌电流为40 A，恢复时间为35 ns。
SURS8105T3G是DIODE GEN PURP 50V 1A SMB，包括875mV@1A正向电压Vf Max。如果设计为在50V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于SMB的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于MURS105，以及35ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为DO-214AA，SMB，其工作温度结范围为-65°C~175°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为2μa@50V，电流平均整流Io为1A。
SURS5630-2T3，带有MOTO制造的电路图。SURS5630-2T3采用DO-214AA封装，是IC芯片的一部分。
