9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的V30120SGHM3/4W，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。V30120SGHM3/4W参考价格$0.309。Vishay General Semiconductor-Diodes Division V30120SGHM3/4W封装/规格：DIODE SCHOTTKY 30A 120V TO-220AB。您可以下载V30120SGHM3/4W英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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V30120SG-E3/4W是DIODE SCHOTTKY 120V 30A TO220AB，包括TMBSR系列，它们设计用于肖特基整流器产品，包装如数据表说明所示，用于管中，提供单位重量功能，如0.065257盎司，安装样式设计用于通孔，以及TMBS商品名，该设备也可以用作to-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件为通孔安装型，该器件具有供应商器件封装的TO-220AB，配置为单双阳极，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为500μa@120V，电压正向Vf Max If为1.28V@30A，电压反向Vr Max为120V，电流平均整流Io为30A，其工作温度结范围为-40°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，Vf正向电压为1.28 V，Ir反向电流为500 uA，如果正向电流为30 A，Vrm重复反向电压为120 V，Ifsm正向浪涌电流为220A。
V30120S-E3/4W是DIODE SCHOTTKY 120V 30A TO220AB，包括120 V Vrm重复反向电压，它们设计为在1.1V@30A电压正向Vf Max条件下工作。如果数据表注释中显示了用于120V的电压直流反向Vr Max，其提供了1.1 V等正向电压特性，单位重量设计为0.065257盎司，以及TMBS商品名，该器件也可以用作Si技术。此外，供应商的设备包装为TO-220AB，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有系列TMBSR，产品为肖特基整流器，包装为管，包装箱为TO-220-3，其工作温度接合范围为-40°C~150°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔，它的最小工作温度范围为-40℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为500 uA，Ifsm正向浪涌电流为300 A，如果正向电流为30 A，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为500μA@120V，电流平均整流Io为30A，配置为单双阳极。
V30120S-E3/45是二极管肖特基120V 30A TO220AB，包括30A电流平均整流Io，设计用于在500μa@120V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表说明所示，用于肖特基，提供安装类型功能，如通孔，其工作温度结范围为-40°C~150°C，除了TO-220-3包装箱外，该装置还可以用作管替代包装包装。此外，该系列是TMBSR，该设备提供快速恢复=20mA（Io）速度，该设备具有供应商设备包的TO-220AB，电压DC反向Vr最大值为120V，电压正向Vf最大值If为1.1V@30A。
V30120SGHM3/4W，带EDA/CAD型号，包括管封装，它们设计为与to-220AB供应商设备包一起运行，数据表说明中显示了用于to-220-3的封装盒，提供安装型功能，如通孔，二极管类型设计为在肖特基工作，以及快速恢复=20mA（Io）速度，AEC-Q101系列。此外，电流反向泄漏Vr在120V时为500μA，其工作温度结范围为-40°C~150°C，器件的电流平均整流Io为30A，电压反向Vr Max为120V，电压正向Vf Max If为1.28V@30A。
