9icnet为您提供由台湾半导体公司设计和生产的S1KHR3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S1KHR3G参考价格为0.36美元。台湾半导体公司S1KHR3G封装/规格：DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC。您可以下载S1KHR3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如S1KHR3G价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
S1KFP带有引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于无恢复时间整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.000363盎司，安装类型设计用于SMD/SMT，其工作温度范围为-55 C至+150 C，该装置也可用作SOD-123H包装箱。此外，安装类型为表面安装，该设备在SOD-123HE供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@800V，电压正向Vf Max If为1.3V@1.2A，电压直流反向Vr Max为800V，电流平均整流Io为1.2A，反向恢复时间trr为1.5μs，电容Vr F为18pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为1.3V，Vr反向电压为800V，并且Ir反向电流为5uA，并且如果正向电流为1.2A，则最大浪涌电流为50A。
S1K-E3/5AT是DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC，包括800V Vr反向电压，它们设计为在1.1V@1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于800V的直流反向Vr Max，该800V提供1.1 V的正向电压特性，单位重量设计为0.00739盎司，以及DO-214AC（SMA）供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，该系列为S1x，该设备提供1.8μs反向恢复时间trr，该设备具有1800 ns的恢复时间，产品为标准恢复整流器，零件别名为S1K-E3/61T，包装为胶带和卷筒（TR）交替包装，包装箱为DO-214AC，SMA，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为30 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为1 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@800V，电流平均整流Io为1A，配置为单，电容Vr F为12pF@4V，1MHz。
S1K-E3/61T是DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC，包括12pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于单配置操作，数据表注释中显示了用于1A的电流平均整流Io，提供电流反向泄漏Vr特性，例如5μa@800V，二极管类型设计用于标准，该器件也可以用作5 uA Ir反向电流，其最大工作温度范围为+150℃，该器件提供30 A最大浪涌电流，其最小工作温度范围是-55℃，安装类型为表面安装，安装类型是SMD/SMT，其工作温度结范围为-55℃~150℃，封装外壳为DO-214AC，SMA，包装为Digi-ReelR替代包装，零件别名为S1K-E3/5AT，产品为标准回收整流器，回收时间为1800 ns，反向回收时间trr为1.8μs，系列为S1x，速度为标准回收>500ns，>200mA（Io），供应商设备包装为DO-214AC（SMA），单位重量为0.00739盎司，Vf正向电压为1.1V，电压DC反向Vr Max为800V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A，Vr反向电压为800V。
