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IPW65R190CFDFKSA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17.5A(Tc) 最大功耗: 151W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO247-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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  • 库存: 201
  • 单价: ¥41.35696
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    - +
  • 总计: ¥41.36
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规格参数

  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 通孔
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 漏源电压标 (Vdss) 650 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 17.5A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 190毫欧姆@7.3A,10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 730A
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 68 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1850 pF@100 V
  • 最大功耗 151W(Tc)
  • 供应商设备包装 PG-TO247-3-1
  • 包装/外壳 至247-3

IPW65R190CFDFKSA1 产品详情

650V CoolMOS的更换™ CFD2为600V CoolMOS™ 立方英尺7

650V CoolMOS™ CFD2是英飞凌第二代市场领先的高压CoolMOS™ 集成快体二极管的MOSFET。CFD2装置是600V CFD的后继产品,提高了能源效率。较软的换向性能和更好的EMI性能使该产品与竞争对手的部件相比具有明显优势。

特色

  • 集成快体二极管的650V技术
  • 硬换向过程中的有限电压过冲
  • 与600V CFD技术相比,Qg显著降低
  • RDS(开启)最大值与RDS(开启的)典型窗口更紧密
  • 易于设计
  • 与600V CFD技术相比,价格更低
  • 由于体二极管重复换向时Qrr低,开关损耗低
  • 自限di/dt和dv/dt
  • 低Qoss
  • 减少开启和开启延迟时间
  • 出色的CoolMOS™ 质量

应用

  • 电信
  • 服务器
  • 太阳的
  • HID灯镇流器
  • LED照明
  • 电子移动性
IPW65R190CFDFKSA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IPW65R190CFDFKSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IPW65R190CFDFKSA1价格参考¥41.356959,你可以下载 IPW65R190CFDFKSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IPW65R190CFDFKSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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