9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的RGP10AE-M3/73，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RGP10AE-M3/73参考价格为0.398美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division RGP10AE-M3/73包装/规格：DIODE GEN PURE DO-204AL。您可以下载RGP10AE-M3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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RGP10A是DIODE GEN PURP 50V 1A DO41，包括快速恢复整流器产品，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.008642盎司，提供安装类型功能，如通孔，包装箱设计用于DO-204AL、DO-41、轴向以及通孔安装类型，该设备也可以用作DO-41供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@50V，电压正向Vf Max If为1.3V@1A，电压直流反向Vr Max为50V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为150ns，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C~175°C，Pd功耗为3 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1.3 V，Vr反向电压为50 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，最大浪涌电流为30 A，恢复时间为150ns。
RGP02-20E-M3/73，带用户指南，包括1.8V@100mA正向电压Vf Max。如果设计为在2000V（2kV）直流反向电压Vr Max下运行，数据表说明中显示了DO-204AL（DO-41）中使用的供应商设备包，该产品提供快速恢复=200mA（Io）等速度功能，以及300ns反向恢复时间trr，该设备还可以用作磁带盒（TB）替代包装包装。此外，封装外壳为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度结范围为-65°C~175°C，装置具有安装型通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@2000V，电流平均整流Io为500mA。
RGP10A-E3/54是DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL，包括15pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@50V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，其工作温度范围为-65°C~175°C，该装置也可作为DO-204AL、DO-41、轴向包装箱使用。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，该设备以150ns反向恢复时间trr提供，该设备具有串联的SUPERECTIFIERR，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为DO-204AL（DO-41），电压DC反向Vr最大值为50V，电压正向Vf最大值为1.3V@1A。
