该ON半导体肖特基功率整流器采用肖特基势垒原理，使用势垒金属来产生最佳正向压降−反向电流交换。适用于低电压、高频整流以及续流和极性保护二极管，适用于各种表面安装应用，只要尺寸和重量更紧凑。
•无铅
•设计用于最佳自动化电路板组装
•应力保护防护
•环氧树脂模制外壳
•重量轻的11.7mg包装
带有NSV、SBR或S前缀制造商零件号的产品为AEC-Q101汽车合格产品。
SBRS8130LT3G-IR02
- 描述:DIODE SCHOTTKY
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥3.75182
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.75
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规格参数
- 反向恢复时长 (trr) -
- 电容@Vr、法数 -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 过时的
- 二极管种类 -
- 最大直流反向电压 (Vr) -
- 整流平均值 (Io) -
- 最大正向压降 (Vf) @ 正向工作电流 (If) -
- 速度 -
- 反向漏电流 @ 直流反向电压 -
- 安装类别 -
- 包装/外壳 -
- 供应商设备包装 -
- 工作结温 -
SBRS8130LT3G-IR02 产品详情
ON半导体肖特基势垒二极管
SBRS8130LT3G-IR02 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| SBR-M05 | 欧姆龙 (Omron) | SBR-M05 | ¥3,318.26221 |
| SBRD8350RLG-VF01 | 安盛美 (onsemi) | SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER | ¥3.14639 |
| SBR350T4G | 安盛美 (onsemi) | SBR350T4G - DPAK 2W SMT RECT | ¥3.33159 |
 | SBR02U100LPQ-7B | 达尔科技 (Diodes rporated) | 二极管种类: 超级屏障 最大直流反向电压 (Vr): 100伏 整流平均值 (Io): 250毫安 供应商设备包装: X1-DFN1006-2 工作结温: -65摄氏度~150摄氏度 | ¥1.3608 |
| SBRS5654T3G | 安盛美 (onsemi) | DIODE SCHOTTKY SMB | ¥32.67997 |
 | SBR3U60P5-7D | 达尔科技 (Diodes rporated) | 二极管种类: 超级屏障 最大直流反向电压 (Vr): 60 V 整流平均值 (Io): 3A 供应商设备包装: PowerDI5. 工作结温: -55摄氏度~175摄氏度 | ¥3.62145 |
 | SBRS8120T3G | 安盛美 (onsemi) | 二极管种类: 肖特基 最大直流反向电压 (Vr): 20伏 整流平均值 (Io): 1A 供应商设备包装: SMB 工作结温: -65摄氏度~125摄氏度 | ¥0.28972 |
| SBRS8130LT3G-IR02 | 安盛美 (onsemi) | DIODE SCHOTTKY | ¥3.75182 |
 | SBR1045L | 乐山无线电 (LRC) | 直流反向耐压(Vr)：45V 平均整流电流(Io)：10A 正向压降(Vf)：470mV | ¥2.08707 |
| SBRT3U60SA-13-01 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 暂无 | ¥0.78044 |
SBRS8130LT3G-IR02所属分类：单整流二极管，SBRS8130LT3G-IR02 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SBRS8130LT3G-IR02价格参考￥3.751822，你可以下载 SBRS8130LT3G-IR02中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SBRS8130LT3G-IR02规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
