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DI150N03PQ
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DI150N03PQ

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A（Tc） 最大功耗: 86W (Tc) 供应商设备包装: 8-QFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 品牌: 德欧泰克半导体 (Diotec)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 30

  • 库存: 5000
  • 单价: ¥9.33849
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥280.15
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET（金属氧化物）
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 100A（Tc）
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 制造厂商 德欧泰克半导体 (Diotec)
  • 供应商设备包装 8-QFN (5x6)
  • 包装/外壳 8-PowerTDFN
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.1毫欧姆@25A，10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 37 nC @ 4.5 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 5100 pF @ 15 V
  • 最大功耗 86W (Tc)

DI150N03PQ 产品详情

9icnet为您提供Diotec Semiconductor设计和生产的DI150N03PQ，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DI150N03PQ价格参考1.28933美元。Diotec半导体DI150N03PQ封装/规格：MOSFET N-CH 30V 100A 8QFN。您可以下载DI150N03PQ英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。

9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如DI150N03PQ价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。

1DI150GE-100，带有FUJI制造的销细节。1DI150GE-100在模块包中提供，是模块的一部分。

1DI150GF-100，带有FUJI制造的用户指南。1DI150GF-100在模块包中提供，是模块的一部分。

1DI150M-120，带有FUJI制造的电路图。1DI150M-120在模块包中提供，是模块的一部分。

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器件图
型号
制造商
描述
价格
DI108S_T0_00001DI108S_T0_00001强茂 (Panjit)二极管种类: 单相 技术: 标准 最大反向峰值电压: 800 V 整流平均值 (Io): 1A 供应商设备包装: 4-SDIP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥3.76631
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DI110N03PQDI110N03PQ德欧泰克半导体 (Diotec)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc） 最大功耗: 56W (Tc) 供应商设备包装: 8-QFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥9.33849
DI150N03PQDI150N03PQ德欧泰克半导体 (Diotec)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A（Tc） 最大功耗: 86W (Tc) 供应商设备包装: 8-QFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥9.33849
DI100N10PQDI100N10PQ德欧泰克半导体 (Diotec)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A（Tc） 最大功耗: 250W（Tc） 供应商设备包装: 8-QFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥15.33561
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DI156DI156直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：1.5A 正向压降(Vf)：1.1V@1A 正向浪涌电流(Ifsm)：50A¥1.18841
DI1510S_R1_00001DI1510S_R1_00001直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：1.5A 正向压降(Vf)：1.1V@1A 正向浪涌电流(Ifsm)：50A¥1.01049
DI156S_R2_00001DI156S_R2_00001直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：1.5A 正向压降(Vf)：1.1V@1A 正向浪涌电流(Ifsm)：50A¥1.28656
DI156S_R2_10001DI156S_R2_10001直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：1.5A 正向压降(Vf)：1.1V@1A 正向浪涌电流(Ifsm)：50A¥1.19903
DI150N03PQ所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，DI150N03PQ 由 德欧泰克半导体 (Diotec) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DI150N03PQ价格参考￥9.338488，你可以下载 DI150N03PQ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DI150N03PQ规格参数、现货库存、封装信息等信息！

德欧泰克半导体 (Diotec)

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40多年来，Diotec Semiconductor为半导体芯片、封装类型、引线配置等提供定制解决方案。他们致力于通过创新和高质量的客户服务取得成功。迪奥泰克将是您的二极管和整流器应用的专家。

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