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RS6G120BGTB1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Ta) 供应商设备包装: 8-HSOP 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 罗姆 (Rohm)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 漏源电压标 (Vdss) 40伏
  • 安装类别 表面安装
  • 导通电阻 Rds(ON) -
  • 最大功耗 -
  • 包装/外壳 8-PowerTDFN
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 制造厂商 罗姆 (Rohm)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@1毫安
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 120A(Ta)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 67 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4240 pF @ 20 V
  • 供应商设备包装 8-HSOP

RS6G120BGTB1 产品详情

RS6G120BGTB1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),RS6G120BGTB1 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RS6G120BGTB1价格参考¥22.670277,你可以下载 RS6G120BGTB1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RS6G120BGTB1规格参数、现货库存、封装信息等信息!

罗姆 (Rohm)

罗姆 (Rohm)

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