特色
- 指定雪崩能量
- 高温下规定的IDSS和VDS（开）
- 设计用于低压、高速开关应用，并在雪崩和换向模式下承受高能量
- 符合RoHS
应用
- 低压和高速开关应用于电源、转换器和电机控制。
（图片：引出线）
NTD2955-1G
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Ta） 最大功耗: 55W (Tj) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 13374
- 单价: ¥6.37375
-
数量:
- +
- 总计: ¥6.37
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 安装类别 通孔
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 部件状态 过时的
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 场效应管类型 P-通道
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 12A（Ta）
- 导通电阻 Rds(ON) 180毫欧姆@6A，10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 30 nC @ 10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 750 pF @ 25 V
- 最大功耗 55W (Tj)
- 供应商设备包装 I-PAK
- 包装/外壳 TO-251-3短引线，IPak，TO-251AA
NTD2955-1G 产品详情
该功率MOSFET设计用于承受雪崩和换向模式下的高能量，这些设备特别适用于二极管速度和换向安全操作区域至关重要的桥式电路，并为意外电压瞬变提供额外的安全裕度。
NTD2955-1G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NTD4302-001 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK | ¥1.59344 |
| NTD2955-001 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET P-CH 60V 12A IPAK | ¥1.01401 |
 | NTD60N02R-001 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CH 24V 62A IPAK | ¥0.86915 |
 | NTD20N06L | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CHAN LL 20A 60V DPAK | ¥3.11445 |
| NTD4404N1G | 安盛美 (onsemi) | POWER MOSFET, 85 A, 24 V, N-CHAN | ¥2.96959 |
| NTD2955-1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Ta） 最大功耗: 55W (Tj) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥6.37375 |
 | NTD50N03RT4 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.8A (Ta), 45A (Tc) 最大功耗: 1.5W（Ta）、50W（Tc） 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥0.72429 |
 | NTD4808N-35G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Ta）、63A（Tc） 最大功耗: 1.4W（Ta），54.6W（Tc） 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥0.72429 |
 | NTD4970N-35G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.5A (Ta), 36A (Tc) 最大功耗: 1.38W（Ta），24.6W（Tc） 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2.46259 |
 | NTDV20N06T4G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Ta） 最大功耗: 1.88W（Ta），60W（Tj） 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.25931 |
NTD2955-1G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTD2955-1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTD2955-1G价格参考￥6.373752，你可以下载 NTD2955-1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTD2955-1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
