DMN3029LFG-13

Name: DMN3029LFG-13
Brand: 达尔科技 (Diodes rporated)
SKU: 22232723-DMN3029LFG-13
Price: 1.206522 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Ta) 供应商设备包装: PowerDI3333-8
品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
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规格参数

部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
安装类别表面安装
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） -
最大栅源极电压 (Vgs) -
最大功耗 -
工作温度 -
漏源电压标 (Vdss) 30伏
包装/外壳 8-PowerVDFN
制造厂商达尔科技 (Diodes rporated)
漏源电流 (Id) @ 温度 5.3A (Ta)
导通电阻 Rds(ON) 18.6毫欧姆@10A，10V
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.8V@250A.
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 11.3 nC@10 V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 580 pF @ 15 V
供应商设备包装 PowerDI3333-8

DMN3029LFG-13 产品详情

这一新一代MOSFET的设计旨在最大限度地降低不稳定电阻（RDS（on）），同时保持优异的开关性能，是高效电源管理应用的理想选择。

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型号	制造商	描述	价格
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DMN3029LFG-13	达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Ta) 供应商设备包装: PowerDI3333-8	¥1.20652
DMN3029LFG-7	达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Ta) 最大功耗: 1W（Ta）供应商设备包装: PowerDI3333-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥1.20652
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DMN3029LFG-13所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，DMN3029LFG-13 由达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DMN3029LFG-13价格参考￥1.206522，你可以下载 DMN3029LFG-13中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DMN3029LFG-13规格参数、现货库存、封装信息等信息！