OptiMOS3功率晶体管
ISC026N03L5SATMA1
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A(Ta)、100A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、48W(Tc) 供应商设备包装: PG-TDSON-8-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥13.45731
-
数量:
- +
- 总计: ¥13.46
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规格参数
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 包装/外壳 8-PowerTDFN
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
- 供应商设备包装 PG-TDSON-8-6
- 漏源电流 (Id) @ 温度 24A(Ta)、100A(Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 2.6毫欧姆@30A,10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 26 nC@10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1700 pF@15 V
- 最大功耗 2.5W(Ta)、48W(Tc)
ISC026N03L5SATMA1 产品详情
ISC026N03L5SATMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),ISC026N03L5SATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。ISC026N03L5SATMA1价格参考¥13.457308,你可以下载 ISC026N03L5SATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询ISC026N03L5SATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。