特色
- VGS=10 V，ID=3.2 A时，最大rDS（开）=108 mΩ
- VGS=4.5 V，ID=2.7 A时，最大rDS（开）=153 mΩ
- 用于极低rDS的高性能沟槽技术（开启）
- 广泛使用的表面安装封装具有高功率和电流处理能力
- HBM ESD保护等级>3 KV典型值（注4）
- 100%UIL测试
- 符合RoHS
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
- DC-DC转换
FDT86106LZ
- 描述:FDT86106 - N-CHANNEL POWERTRENCH
- 品牌:
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
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- 单价: ¥14.77552
-
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规格参数
- 场效应管特性 -
- 场效应管类型 -
- 技术 -
- 漏源电压标 (Vdss) -
- 漏源电流 (Id) @ 温度 -
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） -
- 导通电阻 Rds(ON) -
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 最大栅源极电压 (Vgs) -
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
- 最大功耗 -
- 工作温度 -
- 安装类别 -
- 供应商设备包装 -
- 包装/外壳 -
- 部件状态 过时的
- 制造厂商
FDT86106LZ 产品详情
该N沟道逻辑电平MOSFET采用先进的Power Trench®工艺生产，该工艺经过特殊定制，可最大限度地降低导通电阻，同时保持优异的开关性能。已添加G-S齐纳以提高ESD电压水平。
FDT86106LZ 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| FDT86106LZ | FDT86106 - N-CHANNEL POWERTRENCH | ¥14.77552 | |
 | FDT459N | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Ta) 最大功耗: 3W (Ta) 供应商设备包装: SOT-223-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥42.77657 |
| FDT3612-SB82273 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.7A (Ta) 最大功耗: 1.1W（Ta） 供应商设备包装: SOT-223-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥129.34371 |
| FDT-08-PED-CI | 3M (3M) | MOUNTING BRACKET | ¥789.15741 |
| FDT21624046BR | 8" STANDARD DUCT, 15'L W/STRAP | ¥0.00 | |
| FDT21624076BR | 8" STANDARD DUCT, 25'L W/STRAP | ¥0.00 | |
| FDT1615BR | 16" STANDARD DUCT, 15'L W/STRAP | ¥0.00 | |
| FDT0815CBB | 8" CONDUCTIVE DUCT 15'L W/STRAP | ¥0.00 | |
| FDT1625BR | 16" STANDARD DUCT, 25'L W/STRAP | ¥0.00 | |
| FDT1215CBB | 12" CONDUCTIVE DUCT 15'L W/STRAP | ¥0.00 |
FDT86106LZ所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDT86106LZ 由 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDT86106LZ价格参考￥14.775516，你可以下载 FDT86106LZ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDT86106LZ规格参数、现货库存、封装信息等信息！