一般说明
ThisP通道逻辑电平增强模式场效应
晶体管是使用Fairchild专有的高电池生产的
密度、DMOS技术。这种非常高密度的工艺是
特别定制，以最大限度地减少导通电阻
evice是专门为低电压而设计的
作为数字晶体管的替代品。自从
不需要ias电阻器，这一个P沟道FET可以
用不同的偏置电阻替换几个数字晶体管
例如DTCx和DCDx系列。
一般说明
ThisP通道逻辑电平增强模式场效应
晶体管是使用Fairchild专有的高电池生产的
密度、DMOS技术。这种非常高密度的工艺是
特别定制，以最大限度地减少导通电阻
evice是专门为低电压而设计的
作为数字晶体管的替代品。自从
不需要ias电阻器，这一个P沟道FET可以
用不同的偏置电阻替换几个数字晶体管
例如DTCx和DCDx系列。
特色
- -25 V，-0.12 A连续，-0.5 A峰值RDS（ON）=13Ω@VGS=-2.7 V，RDS（ON
- 极低水平的栅极驱动要求，允许在3V电路中直接操作。VGS（th）<1.5V。
- 栅极-源极齐纳，用于ESD加固。>6kV人体模型。
- 紧凑型行业标准SOT-23表面安装封装。
- 用一个DMOS FET替换许多PNP数字晶体管（DTCx和DCDx）。
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
