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STD24N06LT4G
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STD24N06LT4G

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A(Tc) 最大功耗: 1.36W(Ta),62.5W(Tj) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥78.46958
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥78.47
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 部件状态 过时的
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 24A(Tc)
  • 供应商设备包装 DPAK
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 5V
  • 导通电阻 Rds(ON) 45毫欧姆 @ 10A, 5V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 32 nC @ 5 V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±15V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1140 pF@25 V
  • 最大功耗 1.36W(Ta),62.5W(Tj)

STD24N06LT4G 产品详情

STD24N06LT4G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),STD24N06LT4G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STD24N06LT4G价格参考¥78.469579,你可以下载 STD24N06LT4G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STD24N06LT4G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

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