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FQU12N20TU-T
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FQU12N20TU-T

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起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥57.82731
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  • 总计: ¥57.83
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规格参数

  • 场效应管特性 -
  • 场效应管类型 -
  • 技术 -
  • 漏源电压标 (Vdss) -
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 -
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) -
  • 导通电阻 Rds(ON) -
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 最大栅源极电压 (Vgs) -
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
  • 最大功耗 -
  • 工作温度 -
  • 安装类别 -
  • 供应商设备包装 -
  • 包装/外壳 -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 上次购买

FQU12N20TU-T 产品详情

该N沟道增强型功率MOSFET使用Fairchild半导体的专有平面条纹和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术特别适合于降低导通电阻,并提供优异的开关性能和高雪崩能量强度。这些设备适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)和电子灯镇流器。。

特色

  • 9A,200V,RDS(开启)=280mΩ(最大值)@VGS=10 V,ID=4.5A
  • 低栅极电荷(典型18nC)
  • 低铬(典型值18pF)
  • 100%雪崩测试
  • 符合RoHS

应用

  • LED电视
FQU12N20TU-T所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FQU12N20TU-T 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FQU12N20TU-T价格参考¥57.827314,你可以下载 FQU12N20TU-T中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FQU12N20TU-T规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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