9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STGB10NB60ST4，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STGB10NB60ST4参考价格$11.26022。STMicroelectronics STGB10NB60ST4封装/规格：IGBT 600V 29A 80W D2PAK。您可以下载STGB10NB60ST4英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STGB10NB40LZT4是IGBT 440V 20A 150W D2PAK，包括PowerMESH？系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.079014盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装盒设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB以及标准输入型，该设备也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为D2PAK，该设备以单配置提供，该设备最大功率为150W，集电器Ic最大值为20A，集电器-发射极击穿最大值为440V，集电器脉冲Icm为40A，最大Vce Vge Ic为1.8V@4.5V，10A，开关能量为2.4mJ（开）、5mJ（关），栅极电荷为28nC，25°C时的Td为1.3μs/8μs，测试条件为328V、10A、1kOhm、5V，Pd功耗为150 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为1.8 V，集电极/发射极饱和电压为1.2 V，25 C时的连续集电极电流为20 A，栅极-发射极漏电流为700uA，最大栅极-发射极电压为12V，连续集电极电流Ic-Max为20A。
STGB10NB37LZT4是IGBT 440V 20A 125W D2PAK，包括440V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在1.8V@4.5V、10A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.079014 oz，提供328V、10A、1 kOhm、5V、Td on off 25°C等测试条件功能。设计为在1.3μs/8μs以及2.4mJ（on）下工作，5mJ（关闭）开关能量，该设备也可以用作D2PAK供应商设备包。此外，该系列是PowerMESH？，该器件提供125W最大功率，该器件具有Digi-ReelR替代封装，封装外壳为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最低工作温度范围为-65℃，最高工作温度范围+150℃，最大栅极-发射极电压为16 V，输入类型为标准，栅极电荷为28nC，集电极脉冲Icm为40A，集电极电流Ic最大值为20A，连续集电极电流最大值为20A，配置为单一，集电极-发射极电压VCEO最大值为440V。
STGB10NB40LZ，带有由ST制造的电路图。STGB10B40LZ采用TO-263封装，是IGBT的一部分-单个。
