9icnet为您提供由onsemi设计和生产的J107_D75Z，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。J107_D75Z参考价格为10.210604美元。onsemi J107_D75Z包装/规格：JFET N-CH 25V 625MW TO92。您可以下载J107_D75Z英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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J107是JFET N-CH 25V 625MW TO92，包括磁带和卷轴（TR）包装，它们设计用于单位重量为0.007090 oz的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-226-3、to-92-3（to-226AA）（成型引线）等封装外壳功能，安装类型设计用于通孔以及to-92-3供应商设备包，该设备也可以用作单一配置。此外，FET类型为N沟道，该器件的最大功率为625mW，该器件具有25V的电压击穿电压V BRGSS，电流漏极Idss Vds Vgs=0为100mA@15V，电压截止Vgs关断Id为500mV@1μa，电阻RDS开为8欧姆，Pd功耗为625 mW，RDS开漏极-源极电阻为8欧姆，Vgs栅源击穿电压为-25V，栅源截止电压为-4.5V。
J107_D75Z带用户指南，包括500mV@1μA电压切断VGS关断Id，它们设计用于25V电压击穿V BRGSS，数据表说明中显示了用于to-92-3的供应商设备包，该设备提供电阻RDS开启功能，如8欧姆，最大功率设计用于625mW，以及磁带和卷轴（TR）封装，该设备也可以用作to-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成型引线）封装盒。此外，安装类型为通孔，该器件为N沟道FET类型，该器件具有100mA@15V的漏电流Idss Vds Vgs=0。
带电路图的J107E11CS1024VDC J107E11C S1024VDC采用DIP封装，是IC芯片的一部分。
J107F1AS205VDC.45，带有CIT制造的EDA/CAD模型。J107F1AS 205VDC.4采用DIP4封装，是IC芯片的一部分。
