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IGW50N60H3FKSA1

  • 描述:集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 333 W 供应商设备包装: PG-TO247-3-1 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 2
  • 单价: ¥40.56024
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥40.56
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规格参数

  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 部件状态 可供货
  • 绝缘栅晶体管类型 场终止沟道
  • 反向恢复时长 (trr) -
  • 最大整流电流 (Icm) 200 A
  • 输入类别 标准
  • 集电极击穿电压 600 V
  • 工作温度 -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 供应商设备包装 PG-TO247-3-1
  • 最大集电极电流 (Ic) 100 A
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.3V @ 15V, 50A
  • 最大功率 333 W
  • 开关能量 2.36mJ
  • 门电荷 315 nC
  • 开通/关断延时 (25°C) 23ns/235ns
  • 试验条件 400V, 50A, 7欧姆, 15V

IGW50N60H3FKSA1 产品详情

IGW50N60H3FKSA1是一种沟槽中的高速IGBT,并建议结合使用场停止技术。高速装置用于减小有源元件的尺寸(25至70kHz)。高速3系列提供了开关损耗和传导损耗之间的最佳折衷。该系列的关键特征是类似MOSFET的关断开关行为,导致低关断损耗。

特色

  • 专门设计用于在低于70kHz的频率下切换应用中取代平面MOSFET
  • 低开关损耗,实现高效率
  • 具有低EMI发射的快速开关行为
  • 针对目标应用的优化二极管,意味着开关损耗的进一步改善
  • 可以选择低栅极电阻(低至5R),同时保持良好的开关性能
  • 短路能力
  • 出色的性能
  • 低开关和传导损耗
  • EMI性能非常好
  • 小栅极电阻,减少延迟时间和电压过冲
  • 一流的IGBT效率和EMI性能
  • 带和不带续流二极管的封装,增加了设计自由度
  • 绿色产品
  • 无卤素

应用

替代能源、电力管理
IGW50N60H3FKSA1所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),IGW50N60H3FKSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IGW50N60H3FKSA1价格参考¥40.560240,你可以下载 IGW50N60H3FKSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IGW50N60H3FKSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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