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NLAS5223BMUR2G
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NLAS5223BMUR2G

  • 描述:电线数量: two 多路复用器/解复用器电路: 2:1 最大值通态电阻: 350欧姆 供应商设备包装: 10-UQFN（1.4x1.8） 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度（TA） 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 605

  • 库存: 48000
  • 单价: ¥1.59344
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥964.03
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规格参数

  • 电线数量 two
  • 安装类别 表面安装
  • 电源电压，双电源电压（±） -
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度（TA）
  • 开关线路 继电器
  • 多路复用器/解复用器电路 2:1
  • 部件状态 过时的
  • 包装/外壳 10-UFQFN
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 最大漏电电流 (IS(off)) 500nA
  • 电源电压，单电源电压（±） 1.65伏~4.5伏
  • 充电注入 38pC
  • 3db 频段宽度 19MHz
  • 通道电容（CS（关闭），CD（关闭）） 60皮法
  • 串化干扰 -100千赫兹时为70分贝
  • 最大开关时间（Ton, Toff） 50ns, 50ns
  • 最大值通态电阻 350欧姆
  • 通路至通路匹配 （&Delta；导通电阻） 50毫欧姆 (Max)
  • 供应商设备包装 10-UQFN（1.4x1.8）

NLAS5223BMUR2G 产品详情

The NLAS5223BMUR2G is an advanced CMOS analog switch fabricated in Sub−micron silicon gate CMOS technology. The device is a dual Independent Single Pole Double Throw (SPDT) switch featuring Ultra−Low RON of 0.5 Ohm, at VCC = 3.0 +/- 0.3 V.The part also features guaranteed Break Before Make (BBM)switching, assuring the switches never short the driver.

Feature

  • UltraLow RON, 0.5 Ohm at VCC = 3.0 +/- 0.3 V.
  • NLAS5223 Interfaces with 2.8 V Chipset
  • NLAS5223L Interfaces with 1.8 V Chipset
  • Single Supply Operation from 1.65 to 3.6 V
  • RingTone Chip / Amplifier Switching

Applications

  • Cell Phone Audio Block
  • Speaker and Earphone Switching
  • VoIP Handsets


(Picture: Pinout)

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器件图
型号
制造商
描述
价格
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NLAC00ENLAC00ET619 21/2 THD GATE VALVE CAST IR¥8,517.28826
NLA300ENLA300ET617O 21/2 THD GATE VALVE CI¥8,546.25986
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NLAS5223BMUR2GNLAS5223BMUR2G安盛美 (onsemi)电线数量: two 多路复用器/解复用器电路: 2:1 最大值通态电阻: 350欧姆 供应商设备包装: 10-UQFN（1.4x1.8） 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度（TA） 安装类别: 表面安装¥1.59344
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NLAS5223BMUR2G所属分类：模拟开关/多路复用/解复用器，NLAS5223BMUR2G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NLAS5223BMUR2G价格参考￥1.593438，你可以下载 NLAS5223BMUR2G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NLAS5223BMUR2G规格参数、现货库存、封装信息等信息！

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onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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