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IS43DR82560C-3DBL

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 60-TWBGA (8x10.5)
  • 品牌: 美国芯成 (ISSI)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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规格参数

  • 制造厂商 美国芯成 (ISSI)
  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Volatile
  • 存储格式 DRAM
  • 技术 SDRAM-DDR2
  • 存储容量 2Gb (256M x 8)
  • 存储接口 并联
  • 时钟频率 333兆赫
  • 单字、单页写入耗时 15纳秒
  • 访达时期 450 ps
  • 电源电压 1.7伏~1.9伏
  • 工作温度 0摄氏度~85摄氏度(TC)
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 60-TFBGA
  • 供应商设备包装 60-TWBGA (8x10.5)

IS43DR82560C-3DBL 产品详情

IS43DR82560C-3DBL所属分类:存储器,IS43DR82560C-3DBL 由 美国芯成 (ISSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IS43DR82560C-3DBL价格参考¥78.907774,你可以下载 IS43DR82560C-3DBL中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IS43DR82560C-3DBL规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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