ISSI (芯成半导体有限公司)是Integrated Silicon Solution, Inc. 缩写。1988年成立,专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品,用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。公司的客户都是一些电子工业巨头,如3Com, Alcatel, Cisco, Ericsson, Hewlett Packard, IBM, Lexmark, Motorola, Nokia, Seagate等公司。ISSI是国际化大公司,公司总部设在美国加州Santa Clara,在美国、欧洲拥有分公司,在台湾有合资企业,在中国香港设有子公司,销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、台湾、日本。共有雇员约500人。ISSI 用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品,产品都是由代工服务商代为生产,台湾的TSMC、UMC、新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥31.39172 | 5380 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥31.39172 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOP | ¥20.09253 | 999 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥20.09253 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 48-TFBGA (8x10) | ¥31.96509 | 393 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥31.96509 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥34.01990 | 83 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥34.01990 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥38.80239 | 263 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥38.80239 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA(9x13) | ¥64.72769 | 3438 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥64.72769 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5) | ¥18.81343 | 1038 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥18.81343 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5) | ¥10.93895 | 8659 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥10.93895 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥17.20406 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥17.20406 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥50.05496 | 610 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥50.05496 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥3.51498 | 680 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.51498 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 24-VFBGA (6x8) | ¥43.22925 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥43.22925 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥8.21997 | 38203 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥8.21997 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥11.76971 | 4542 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥11.76971 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 24-VFBGA (6x8) | ¥44.64017 | 334 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥44.64017 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.14伏~ 1.3伏、1.7伏~ 1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 134-TFBGA (10x11.5) | ¥59.36353 | 35 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥59.36353 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOP | ¥10.22915 | 8609 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥10.22915 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥24.11918 | 2265 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥24.11918 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II | ¥26.30042 | 661 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥26.30042 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.06伏~1.17伏,1.7伏~1.95伏 时钟频率: 1.6千兆赫 供应商设备包装: 200-VFBGA (10x14.5) | ¥131.71648 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥131.71648 | 立即购买 加入购物车 |