久芯网

IS43LQ16256A-062BLI

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.06伏~1.17伏,1.7伏~1.95伏 时钟频率: 1.6千兆赫 供应商设备包装: 200-VFBGA (10x14.5)
  • 品牌: 美国芯成 (ISSI)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 131.71648 131.71648
  • 库存: 0
  • 单价: ¥131.71648
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥131.72
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商 美国芯成 (ISSI)
  • 存储类型 Volatile
  • 存储格式 DRAM
  • 储存接口 并联
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 安装类别 表面安装
  • 访达时期 -
  • 工作温度 -40摄氏度~95摄氏度(TC)
  • 存储容量 4Gb (256M x 16)
  • 技术 SDRAM-移动LPDDR4
  • 时钟频率 1.6千兆赫
  • 电源电压 1.06伏~1.17伏,1.7伏~1.95伏
  • 包装/外壳 200-WFBGA
  • 供应商设备包装 200-VFBGA (10x14.5)

IS43LQ16256A-062BLI 产品详情

IS43LQ16256A-062BLI所属分类:存储器,IS43LQ16256A-062BLI 由 美国芯成 (ISSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IS43LQ16256A-062BLI价格参考¥131.716482,你可以下载 IS43LQ16256A-062BLI中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IS43LQ16256A-062BLI规格参数、现货库存、封装信息等信息!
会员中心 微信客服
客服
回到顶部