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品牌介绍

ISSI (芯成半导体有限公司)是Integrated Silicon Solution, Inc. 缩写。1988年成立,专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品,用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。公司的客户都是一些电子工业巨头,如3Com, Alcatel, Cisco, Ericsson, Hewlett Packard, IBM, Lexmark, Motorola, Nokia, Seagate等公司。ISSI是国际化大公司,公司总部设在美国加州Santa Clara,在美国、欧洲拥有分公司,在台湾有合资企业,在中国香港设有子公司,销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、台湾、日本。共有雇员约500人。ISSI 用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品,产品都是由代工服务商代为生产,台湾的TSMC、UMC、新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴。

英文全称: ISSI

中文全称: 美国芯成

英文简称: ISSI

品牌地址: http://www.issi.com/

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描述
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IS42S32160F-7TLI
IS42S32160F-7TLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II

¥78.55812

1194

2-3 工作日

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合计: ¥78.55812

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IS42S32160F-6BLI
IS42S32160F-6BLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13)

¥116.89896

1766

2-3 工作日

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合计: ¥116.89896

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IS43TR16256BL-107MBLI
IS43TR16256BL-107MBLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-TWBGA(9x13)

¥125.60892

30

2-3 工作日

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合计: ¥125.60892

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IS25LE01G-RILE
IS25LE01G-RILE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-LFBGA (6x8)

¥155.25591

2559

2-3 工作日

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合计: ¥155.25591

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IS61NLP51236B-200B3LI
IS61NLP51236B-200B3LI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15)

¥157.20932

1338

2-3 工作日

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合计: ¥157.20932

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IS61WV20488BLL-10TLI
IS61WV20488BLL-10TLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥100.06045

1419

2-3 工作日

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合计: ¥100.06045

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IS61WV204816BLL-10TLI
IS61WV204816BLL-10TLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥105.02640

1206

2-3 工作日

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合计: ¥105.02640

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IS43QR16256B-083RBLI
IS43QR16256B-083RBLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.2千兆赫 供应商设备包装: 96-BGA

¥88.21631

654

2-3 工作日

- +

合计: ¥88.21631

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IS61WV204816BLL-10BLI
IS61WV204816BLL-10BLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥183.41992

2252

2-3 工作日

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合计: ¥183.41992

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IS43TR16512B-125KBLI
IS43TR16512B-125KBLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA(10x14)

¥126.65987

658

2-3 工作日

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合计: ¥126.65987

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IS43TR16512BL-107MBL
IS43TR16512BL-107MBL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-TWBGA(10x14)

¥255.30643

389

2-3 工作日

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合计: ¥255.30643

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IS43TR16512BL-107MBLI
IS43TR16512BL-107MBLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-TWBGA(10x14)

¥309.42683

2822

2-3 工作日

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合计: ¥309.42683

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IS25LP016D-JBLE-TR
IS25LP016D-JBLE-TR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥2.46621

7691

2-3 工作日

- +

合计: ¥2.46621

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IS25LP016D-JKLE-TR
IS25LP016D-JKLE-TR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5)

¥8.88124

15214

2-3 工作日

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合计: ¥8.88124

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IS25LP032D-JBLE-TR
IS25LP032D-JBLE-TR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥4.85129

27582

2-3 工作日

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合计: ¥4.85129

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IS62C256AL-45ULI-TR
IS62C256AL-45ULI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOP

¥6.81847

23020

2-3 工作日

- +

合计: ¥6.81847

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IS25LP016D-JNLE
IS25LP016D-JNLE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥4.60314

0

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IS42S16100H-7TLI-TR
IS42S16100H-7TLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 50-TSOP II

¥9.59105

6116

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IS25LP020E-JNLE-TR
IS25LP020E-JNLE-TR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥3.51498

2066

2-3 工作日

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IS25LQ010B-JNLE
IS25LQ010B-JNLE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

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