久芯网

IS43QR16256B-083RBLI

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.2千兆赫 供应商设备包装: 96-BGA
  • 品牌: 美国芯成 (ISSI)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 88.21630 88.21630
10+ 78.63168 786.31689
30+ 72.78843 2183.65308
100+ 67.89103 6789.10330
  • 库存: 654
  • 单价: ¥88.21631
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥88.22
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商 美国芯成 (ISSI)
  • 存储类型 Volatile
  • 存储格式 DRAM
  • 储存接口 并联
  • 安装类别 表面安装
  • 访达时期 -
  • 单字、单页写入耗时 15纳秒
  • 工作温度 -40摄氏度~95摄氏度(TC)
  • 存储容量 4Gb (256M x 16)
  • 技术 SDRAM-DDR4
  • 时钟频率 1.2千兆赫
  • 电源电压 1.14伏~1.26伏
  • 包装/外壳 96亿加仑
  • 供应商设备包装 96-BGA

IS43QR16256B-083RBLI 产品详情

IS43QR16256B-083RBLI所属分类:存储器,IS43QR16256B-083RBLI 由 美国芯成 (ISSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IS43QR16256B-083RBLI价格参考¥88.216306,你可以下载 IS43QR16256B-083RBLI中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IS43QR16256B-083RBLI规格参数、现货库存、封装信息等信息!
会员中心 微信客服
客服
回到顶部